溅射法造句

• 磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗
• 磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒及性能表征
• 用射频溅射法在si衬底上制备立方氮化硼，靶材为hbn ， 。工作气体为氩气。
• 利用磁控溅射法制备了两个组分的ge - ga - s - se玻璃薄膜。
• 采用直流磁控溅射法溅射纯度为99 . 999 %的铝靶制备了超薄铝膜。
• 本文首先研究了磁控溅射法在不同氮气分压下所制备的tin薄膜。
• 本论文研究了采用直流磁控溅射法制备的tio _ 2氧敏薄膜。
• 在tini形状记忆合金薄膜制备方面，研究了丝材冷轧法及直流磁控溅射法制膜工艺。
• 本论文的研究为磁控溅射法制备ceo _ 2 - tio _ 2薄膜提供了一定的理论和实践依据。
• 利用射频磁控反应溅射法，在蓝宝石试片和半球形头罩上制备出所设计的sio _ 2和sio _ 2 si增透膜系。
• 论文以建立磁电子输运测试系统为研究的中心,并采用直流磁控溅射法制备了多晶fe _ 3o _ 4薄膜。
• 本文首次提出使用磁控溅射法制备瞬间液相连接的中间层。一种是直接沉积法，另一种是溅射去除氧化膜再沉积法。
• 射频磁控溅射法可获得高纯的cu ag膜，分析了直流磁控溅射法制备的cu ag薄膜中存在杂质的原因。
• 实验结果表明,利用直流反应磁控溅射法制备的azo薄膜,具有较好的晶体结构和光电特性。
• 在衬底温度为450的条件下，制备出纳米sic薄膜，这一温度与报道的采用溅射法制备? sic薄膜的最低温度( 400 )基本接近。
• 氮化铝薄膜样品是利用高纯铝靶,在氮气加氩气气氛下用直流和射频反应磁控溅射法制备的。
• 研究了磁控溅射法在待连接表面沉积中间层的工艺参数以及不同的中间层制备方法对tlp连接接头组织和性能的影响。
• 首先,依据氢气的还原作用在溅射气氛中引入水蒸气,采用直流磁控溅射法在衬底温度低于200的条件下制备ito膜。
• 主要结果如下： 1 .对磁控溅射法制备bst薄膜的工艺参数进行了较系统地研究，对制备参数进行了优化。
• 采用分步偏压辅助射频( rf )溅射法在316l不锈钢表面制备了sic薄膜。扫描电镜( sem )观察表明膜致密、均匀、与基体结合牢固。

• 溅射法的英语：sputter method
• 溅射法的日语：スパッタ法 スパッタほうしき スパッタほう スパッタ方式