溅射沉积造句

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铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究
X - ray衍射仪对溅射沉积膜的结构进行了研究结果表明cf膜是无定型的。
直流磁控溅射沉积锰酸锶镧薄膜的结构与相变特性研究
摘要采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。
我们采用脉冲激光溅射沉积( pld )方法来制备双层薄膜。
本文探讨了制备zrn薄膜的微波- ecr等离子体增强非平衡磁控溅射沉积工艺。
本工作采用激光溅射沉积( pld )和激光辅助热丝化学气相沉积( hfcvd )两种实验技术制备了sic薄膜，并对薄膜特性进行了研究。
利用x射线衍射法( x - ray )对溅射沉积膜的表面物相结构进行了研究，发现在本实验室条件下溅射生成的膜均是无定型结构。
本文分别采用阳极氧化法、微弧氧化法和磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜的方法对功率电子器件用金属铝基板表面进行绝缘化处理。
论文采用双离子束溅射和射频磁控溅射沉积技术，通过改变薄膜沉积过程中基片温度( t _ s )以及薄膜制备完成后退火温度( t _ a )分别制备了si - sio _ 2和ge - sio _ 2薄膜。
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利用双离子束溅射沉积技术，通过共溅射方法制备了si - sio _ 2薄膜，研究了沉积时间、工作气压p _ ( ar ) 、基片温度等对沉积速率的影响，用tem和xrd分析了样品的结构。
结果显示，在tio _ 2 tin多层膜中， tin溅射沉积时间较短时，薄膜在紫外?可见光范围内呈现出较高的透过率；随着tin薄膜溅射时间的增长，透过率武汉理工大学硕士学位论文逐渐降低;在tio :与tin之间镀制一层ti膜过渡层可以提高双层薄膜ti02ztin的可见光透过率。
本文利用磁控反应溅射技术，以高纯度钛( ti )为靶材，氧气为活性气体，在pet基底上反应溅射沉积tio _ 2 ，将纳米tio _ 2的光催化氧化特性应用于高聚物表面改性，为进一步开发抗菌织物打下基础。首次在高分子pet基底上溅射沉积了氧化钛薄膜。
对微波- ecr等离子体增强非平衡磁控溅射沉积工艺制备的薄膜，采用电子探针、 edx 、 aex 、 xrd 、 sem进行成分及微观结构分析；利用阳极极化测试了薄膜的耐蚀性能；通过摩擦磨损实验测试了薄膜的耐磨性能；总结了薄膜的特性与制备工艺的关系。
在溅射沉积前驱物薄膜的过程中，研究了靶材成分对薄膜性能的影响；铊化后处理过程中，研究了tl2o分压和铊化温度对tl2ba2cacu2o8高温超导薄膜相组成及其性能的影响。
对于tbco非晶垂直磁化膜而言，具有非球对称电荷分布的非s态离子tb与溅射沉积薄膜过程中产生的畸变晶格场之间的静电相互作用构成了tbco非晶薄膜垂直磁各向异性的主要部分， tbco薄膜内的磁偶极相互作用构成了其次要部分。
利用离子束增强沉积设备，在ar ~ +离子束对v _ 2o _ 5靶溅射沉积的同时，用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量的离子束轰击，使得被氩离子轰击后断键的氧化钒分子，再被注入氢降价，然后经适当的退火，成功地制备了热电阻温度系数高达4的vo _ 2薄膜(国外报道值为2 - 3 ) ，并研制了单元悬空结构探测器和8 1 ， 16 1线性阵列。
创新之处：（ 1 ）提出了双原子分子转动分辨发射光谱的拟合方法，并利用拟合方法进行了氮气直流辉光放电产生的第一负带转动分辨光谱和磁控溅射沉积cnx膜过程中cn基团的振动带的转动线型拟合，获得了相应的转动温度。