载流子存储造句

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③SIT是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。
它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法，使晶体管处于临界饱和状态，从而消除和避免了载流子存储效应。
要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。
这种由于注入载流子存储电荷随着电压变化所产生的扩散电容将随正向电压而按指数式增大；扩散电容也与直流偏压有关（也是一种非线性电容），也将随着直流偏压的增大而指数式增大，故扩散电容在正向偏压下比较大。
用载流子存储造句挺难的，這是一个万能造句的方法

其他语种

载流子存储的英语：carrier storage

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