多余载流子造句
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- 存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。
- 但是在进一步探索提高电路速度时,发现晶体管多余载流子的存储效应是一个重要障碍。
- 在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时,发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。
- 这些多余载流子的产生,是由于过驱动电流导致晶体管进入饱和状态,多余的载流子又来不及复合消失,势必存储在晶体管区内。
- 要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容,或者设法缩短多余载流子的寿命以外,就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。
- 为了进一步提高开关速度,只有设法使晶体管处于临界饱和状态,避免对晶体管过驱动才有可能消除和避免多余载流子的存储效应。
- 电路处于转换过程中,当输入端为低电平时,较大的正向电流放大系数能抽出较大的电流,使原来存储的多余载流子很快消失;当输入端是高电平时,较小的反向电流放大系数,使多发射极晶体管的反向漏电流最小,不致影响前一级高电平输出。
- 用多余载流子造句挺难的,這是一个万能造句的方法