热载流子造句

造句与例句手机版

2应力模式下应力相关的热载流子退化
本文提出了一个全新的热载流子增强的超薄栅氧化层经时击穿模型。
与通常的fn应力实验相比较，热载流子导致的超薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性。
在热载流子应力条件下,器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。
对抗热载流子退化的mos器件lddnghtlydopeddrain ）结构及栅氧化层加固技术也作了简单的介绍。
在通常的工作条件下，氧化层的经时击穿和热载流子效应总是同时存在的。
在自加热退化中我们也发现了类似热载流子退化中的非对称性恢复现象,并对其退化特点和模型进行了讨论。
本文对超薄栅氧化层经时击穿( tddb )击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米mos器件热载流子效应( hce )进行了系统研究。
本文主要研究了典型尺寸的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在两种常见的直流应力偏置下的退化现象:热载流子退化和自加热退化。
因此，无论是1 / f噪声功率谱的测试还是由其时间序列提取得到的相似系数均可以作为经济、有效、完全非破坏性的工具，替代传统的电特性用于检测静电引起的mos器件潜在损伤以及热载流子注入损伤。
用热载流子造句挺难的，這是一个万能造句的方法
在实验中我们发现对这两种应力，器件的退化与注入的热载流子的数量以及能量有关， fc应力方法可以加速器件的退化，缩短评估器件寿命的时间。
首先，本文对超大规模集成电路中mos器件尺寸缩小的限制及相应的可靠性问题进行了分析，特别是对小尺寸mosfet的热载流子效应进行了较详细的讨论；并对国内外mos器件和电路的热载流子可靠性研究进行了概述。
机理分析表明，起源于边界陷阱的1 / f噪声对于静电和热载流子诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷都同时敏感，而相似系数更能反映1 / f信号的局域特性，但电参数的变化通常主要取决于其中一类缺陷。
论文的重点是研究sdemos器件的热载流子可靠性，研究发现sdemos器件的退化特性与常规器件不同，通过实验与模拟相结合的方法，指出sdemos器件退化呈现出不同特点的内在原因，并给出了sdemos器件退化特性的物理解释。
本文还深入研究了sde区掺杂浓度对器件热载流子可靠性的影响，指出浓度的提高虽然会产生更多的热载流子，但由于其对热载流子损伤的敏感度降低，因此将存在一种折衷，最后通过一个简单的寄生电阻模型，对掺杂浓度提高后，器件对热载流子损伤敏感度降低的现象做出了很好的解释。
测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试，根据测试数据，对1 . 0 m工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价，对不同测试结构的作用进行了说明。
0对倒相器的模拟结果表明：新型cmos数字电路结构结构使衬底电流降低约50 ，器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟；巳该电路结构中肖特丛一级管可在nmosfet漏极亘接制作肖特基金半接触来方便地实现，工艺简单又无须增加芯片而积。
即在受热载流子退化效应较严重的n mosfet漏极串联一肖特基二极管的新型cmos数字电路结构和串联一工作于线性区的常开n mosfet的mos模拟电路结构。经spice及电路可靠性模拟软件bert2
本文基于小尺寸mos器件热载流子退化的物理机理，对器件热载流子退化所导致的性能退化进行了深入的理论分析和相应的实验研究，给出了预测mos器件和电路热载流子退化寿命的方法，并提出了抗热载流子退化的mos模拟和数字电路结构。
在此基础上，指出采用峰值衬底电流评估sde结构器件可靠性的局限性，以及在采用i - v特性测试方法研究sde结构器件的热载流子效应时，阈值电压作为退化判据所存在的问题。