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电荷区造句

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  • 把frenkel - pool效应引入了对sicmos表面空间电荷区杂质不完全离化的分析,并建立起了在电场作用下sic杂质离化的新的模型。
  • 研究了sic的晶体结构,分析了sic中杂质的不完全离化现象以及sic中空穴迁移率的拟和公式;用解一维poisson方程的方法分析了sicpmos空间电荷区的电特性;本论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对sicpmos器件特性的影响。
  • 对sicjfet的电参数如电子浓度,迁移率,电阻率和空间电荷区密度在中子辐照下的变化进行了分析,提出了中子辐照下6h - sicjfet的器件模型,利用此模型对sicjfet在室温和300时的辐照响应进行模拟的结果和实验值相符。
  • 电荷区造句挺难的,這是一个万能造句的方法
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