层电荷造句

化学表面处理对微型化的氮氧化硅驻极体层电荷储存性能的影响
文中还提出了一个新的sicmosfet反型层薄层电荷数值模型。
采用数值模拟分析方法,深入研究了漂移区长度、漂移区浓度、埋氧层厚度、顶层硅厚度、氧化层电荷以及衬底偏压对resurf效应、击穿电压和导通电阻的影响。
机理分析表明，起源于边界陷阱的1 / f噪声对于静电和热载流子诱发的氧化层电荷和界面陷阱两类缺陷都同时敏感，而相似系数更能反映1 / f信号的局域特性，但电参数的变化通常主要取决于其中一类缺陷。
本文就sio _ 2 / sic界面质量对n沟sicmosfet性能的影响做了深入的研究：从碳化硅材料的晶体结构出发分析了碳化硅材料中杂质的不完全离化，采用sicmos反型层薄层电荷数值模型，研究了杂质不完全离化对p型6h - sicmosc - v特性的影响。
本文从粘土的结构层型、层电荷、层间距、阳离子交换容量、比表面积和膨胀率等各方面综合比较研究粘土矿物的性质，选择了高岭土、膨润土和绢云母这三种粘土矿物作为无机填料，制备粘土?有机聚合物超吸水性复合材料。
用层电荷造句挺难的，這是一个万能造句的方法