靶材造句

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就此开展的lsco薄膜生长工艺研究取得了以下结果: 1 .研究了lsco粉末的溶胶凝胶自燃烧工艺,并制备了lsco靶材。
发现磁控溅射法可以沉积得到与靶材组分一致的锰铜薄膜，沉积的最佳温度为150 200 ’ c ，并且阴极靶的温度对薄膜tcr有很大的影响。
文中采用流体动力学模型，解析地描述了脉冲强激光辐照靶材时，激波的产生及增强、维持和衰减规律，给出了激波峰值压力、激波速度、激波波形的时空关系。
其中使用碳化硅模具,制备出纯度和密度较高的热压靶材,靶材密度为5 . 21g / cm3 ,达到licoo _ 2理论密度的94 % 。
利用卢瑟福散射截面和离子在靶材料中的阻止本领，编制程序将能谱转换成元素的深度分布。从而实现高精度的深度分辨测量。
从微观机制出发，系统地对质子辐射与材料的相互作用基本物理过程进行了描述，入射质子与靶材料的作用主要为核散射和电子作用，在高能质子入射的情况下还有核反应的发生。
此外，为了防止靶材的破裂，降低其内应力，自行设计了熔炼模壳及冷却方法，有效的解决了靶材的开裂问题，使靶材熔炼的成品率达到90 %以上。
使用射频溅射( rf )系统,靶材为烧结的六角氮化硼( hbn ) ,工作气体为氩气(或氩气和氮气的混合气) ,在硅衬底上沉积氮化硼薄膜。
本研究课题以纯钛靶和纯钨靶为靶材,采用反应磁控溅射法在玻璃基片上制备非晶态tio _ 2 : w薄膜。
薄膜成分分析表明,可以通过改变粘贴在大靶上不同成分小靶的数量来改变整个复合靶材的成分,以达到在溅射过程中控制plct热释电薄膜的元素含量的目的。
用靶材造句挺难的，這是一个万能造句的方法
用磁控溅射方法以此靶材溅射得到了1 - 10 m厚的、均匀的ge - ga - s - se硫系玻璃薄膜，其大的折射率表明其用于集成光学具有明显的优势。
本文针对3英寸ybco高温超导双面薄膜的制备技术，研究了靶材烧制、薄膜膜厚分布、加热器设计与制作，制备出了具有87k超导性的3英寸ybco双面薄膜样品。
本文特别指出，所用靶材料均是自制的，碳基复合靶材和制备的复合电特性膜材料主要取自于秸秆废弃物，因此具有环保意义和资源再生的意义。
靶材先是出现沿侵彻方向的剪切变形，当变形达到一定深度后，弹体前方的材料与靶材发生剪切断裂。靶材发生冲塞型破坏侵彻机理为剪切型侵彻或冲孔型侵彻。
本文利用射频磁控溅射的方法，以聚四氟乙烯( ptfe )为靶材，在聚酰亚胺( pi )和聚丙烯( pp )基底上沉积氟碳膜，对不同工艺条件(放电功率、真空度、处理时间)进行了探讨。
本文使用热压烧结方法和冷压后烧结方法制备了磁控溅射用的licoo _ 2靶材,并使用磁控溅射方法制备了licoo _ 2薄膜,对两者的制备工艺进行了研究。
针对提高金属膜电阻器的稳定性这一共同的目的，本文分为两个部分，第一部分是金属膜电阻器高阻靶材的研制；第二部分是金属膜电阻器专用涂料基体的研究。
本文围绕制备性能优异的电光材料,从电光材料的选择、材料配比、靶材制备、射频磁控溅射镀膜设备的研制、电光薄膜材料制作等方面进行了研究。
结果表明薄膜的制备方法影响了薄膜的微观结构，磁控溅射过程中，电场和磁场影响了靶材原子的沉积，使玻璃薄膜中的电偶极子在一定程度上得到了定向排布，使薄膜呈现出显著的二阶非线性效应。
本文在本科研组已有工作基础上改进和优化了时间分辨谱测量方法和装置，对xe闪光灯脉冲时间分辨光谱进行了成功的实测，对脉冲激光冲击靶材的辐射谱进行了时间分辨测量。