硅外延片的英文

• silicon extending slice

• "硅"英文翻译    silicon
• "片"英文翻译    a flat,thin piece; slice; fl ...
• "英寸硅外延片技改扩产" 英文翻译 :    technical renovation and production expansion project on 6～inch silicon epitaxial wafers
• "硅外延" 英文翻译 :    silicon epitaxy
• "外延片" 英文翻译 :    epitaxial slice; epitaxial wafer
• "硅外延材料" 英文翻译 :    siliconepitaxymaterial
• "蓝宝石外延片" 英文翻译 :    silicon on sapphire epitaxial wafers
• "硅外延平面晶体管" 英文翻译 :    silicone epitaxial planar tra istor; silicone epitaxial planar transistor
• "硅外延大电流开关二极管" 英文翻译 :    silicon epitaxial highcurrent switching diode
• "外延" 英文翻译 :    denotation; epitaxy; [逻辑学] extension: ""plant"" 是一个外延较大的词。""plant"" is a word with wide extension
• "流延片材" 英文翻译 :    cast sheet
• "压延片材" 英文翻译 :    calendered sheet
• "等外延" 英文翻译 :    homepitaxy
• "空外延" 英文翻译 :    null extension
• "同外延" 英文翻译 :    homepitaxy
• "外延槽" 英文翻译 :    epitaxial bath
• "外延层" 英文翻译 :    epilayer; epitaxial layer; layer, epitaxial
• "外延迟" 英文翻译 :    external delays
• "外延岛" 英文翻译 :    epi island
• "外延的" 英文翻译 :    denotative; epitaxial; extensional; extensive
• "外延法" 英文翻译 :    epitaxial method; extrapolation
• "外延管" 英文翻译 :    extended tube
• "外延硅" 英文翻译 :    epitaxial silicon
• "外延结" 英文翻译 :    epitaxial junction; epitaxially grown junction
• "外延量" 英文翻译 :    extension amount; extensive amount; extensive quantity

• Specification for silicon epitaxial wafer for microwave power transistor
  微波功率晶体管用硅外延片规范
• Silicon extending slice
  硅外延片
• The concrete work in this thesis : 1 ) fabrication of high response frequency sbd using thin si epi - layer
  本文的具体工作可归纳为： 1 )薄硅外延片研制高频肖特基二极管的原型器件。
• B ) sbd was made using the si epilayer as the active layer , qualified with a set of device technology
  B )在薄硅外延片的生长基础上，探索制作肖特基二极管的相关工艺，研制高频sbd原型器件。
• A ) si thin film with sub - micro thickness was epitaxial grown on heavy - doped si substrate by ultra high vacuum chemical vapor deposition ( uhv - cvd )
  A )利用超高真空化学气相沉积( uhv - cvd )技术在重掺si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。
• Based on the requirement of the device , we grow the films of silicon of high quality . the thickness of the epilayer is from 0 . 4 u m tol p m , the doping concentration can be controlled conveniently
  然后，根据器件的要求，利用uhv cvd技术，生长出优质薄硅外延片，其厚度在0 . 4 m 1 m ，掺杂浓度可任意调节，晶体质量良好。
• 3 . finally , we explore a serial of other fabrication technology of sbd of high frequency , including oxidation techniques , photoetching techniques and vacuum deposition . an original sbd of high frequency has been made
  最后，利用所生长的薄硅外延片，探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺，包括氧化工艺、光刻工艺、真空镀膜工艺等，制作出了高频肖特基二极管的原型器件。