化学气相淀积造句

• 低压化学气相淀积    低压化学气相淀积设备通用技术条件
• 化学气相淀积    这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。 尘粒也能由工艺设备（如化学气相淀积和刻蚀反应器）以及工作人员（身穿的外套，体表的皮屑等）而产生。 和化学气相淀积工艺相反，虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握，但是，分子束外延不需要庞大的安定保险装置。 低压化学气相淀积设备通用技术条件 4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和70...
• 化学气相淀积法    采用化学气相淀积法制备。 化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态天机薄膜材料。 面对国外技术封锁，刚刚回国不久的郑教授，知难而上，大胆提出用超低压化学气相淀积法来制备这种新材料。
• 化学气相淀积工艺    和化学气相淀积工艺相反，虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握，但是，分子束外延不需要庞大的安定保险装置。
• 等离子体增强化学气相淀积    4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和700 ~ 800 c下采用热氧化技术制备sigehmos器件栅介质薄膜进行了研究。
• 低压化学汽相淀积    最常用的氮化硅生长法，是低压化学汽相淀积法和等离子增强的化学汽相淀积法，可用于制作第二和第三钝化层。 在该同志的有关理论指导下，研制的斜温区的“低压化学汽相淀积设备”解决了我国集成电路工艺急需，创造了很大的经济效益，1982年获山东省科技进步奖。
• 化学汽相淀积    衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响 课堂讲授和实验课重点介绍了基本的工艺技术，如扩散、氧化、光刻、化学汽相淀积以及其它。 传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。 在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质束缚能的影响、...
• 气相淀积    这个高的数值可以和从化学气相淀积外延得到的数值相比拟。 尘粒也能由工艺设备（如化学气相淀积和刻蚀反应器）以及工作人员（身穿的外套，体表的皮屑等）而产生。 和化学气相淀积工艺相反，虽然在操作中对于固体砷还是必须非常小心掌握，但是，分子束外延不需要庞大的安定保险装置。 低压化学气相淀积设备通用技术条件 4 .分别对300 c下采用等离子体增强化学气相淀积( pecvd )和70...
• 真空化学汽相淀积    真空化学汽相淀积
• 化学淀积    主要有化学淀积、流水沉积、重力堆积和生物堆积等类型。 （sinter landscape）：溶有碳酸氢钙和其他矿物质的地下水、地下热水和地下蒸气，在洞穴裂隙或在地表泉池边的化学淀积物称泉华。 经过两年奋战，终于建成全计算机控制的原子级快速辐射加热超低压化学淀积生长系统，并用这种方法在世界上生长出了第一块高质量锗硅超晶格材料，使我国成为少数掌握该项技术的国家之一。
• 汽相轴向淀积    汽相轴向淀积
• 汽相淀积    汽相淀积系统 衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响 课堂讲授和实验课重点介绍了基本的工艺技术，如扩散、氧化、光刻、化学汽相淀积以及其它。 传统制备氧化物薄膜的方法包括热氧化、化学汽相淀积、金属有机物化学汽相淀积、溶胶凝胶法等等。 在实验上已经用分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术对其物理性质进行了广泛的研究，而理论上的研究主要集中于研究量子线的尺寸对杂质...
• 汽相淀积系统    汽相淀积系统
• 物理气相淀积    全书共十章，其中第一章简单地讲述了硅的晶体结构，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后一章讲述的是工艺集成。
• 物理汽相淀积    在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。 制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用阳极氧化或电镀法。
• 金属有机气相沈积    由金属有机气相沈积法( mocvd )在载体孔内沈积钯膜有助于防止氢的脆化作用。
• 低温化学气相沉积    我国的低温化学气相沉积(PCVD)技术的研究始于90年代初，PCVD技术主要用于模具涂层，目前在切削刀具领域的应用也十分有限90年代末期，我国开始中温化学气相沉积(MTCVD)技术的研发工作。 80年代末，Krupp.Widia开发的低温化学气相沉积(PCVD)技术达到了实用水平，其工艺处理温度已降至450~650℃，有效控制了η相的产生，可用于螺丝刀具、铣刀、模具的TiN...
• 低压化学气相沉积    大多数现代外延沉积使用低压化学气相沉积(LPCVD)外延生长。 法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。 为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。
• 化学气相沉淀    其中的磷烷是半导体器件制造中的重要N型掺杂源，同时磷烷还用于多晶硅化学气相沉淀、外延Ga P材料、离子注人工艺、MO CV D工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。
• 化学气相沉积    化学气相沉积产物的表征 化学气相沉积法设备 化学气相沉积金刚石薄膜生长的原位反射率测量 化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展 化学气相沉积碳电极的电化学特性 化学气相沉积法 化学气相沉积法制备大面积定向碳纳米管 超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 工具用的复晶钻石涂层，则是使用化学气相沉积法制造的。 等离子体增强热丝化学气相沉...
• 化学气相沉积金刚石    化学气相沉积金刚石薄膜生长的原位反射率测量 该系统可通过沉积参数的精确控制，以控制沉积过程，减少金刚石膜生长过程中的缺陷，并采用光纤光谱仪检测分析等离子体的可见光光谱以监测微波等离体化学气相沉积过程；利用微波对材料的选择加热特性，通过构造等效方程，并首次将电磁场摄动理论引入到mpcvd的基片加热材料的设计中，建立了非均匀等离子体温度场综合模型、复合介质基片材料的复合温度场模...
• 化学气相沉积法    化学气相沉积法设备 化学气相沉积法制备大面积定向碳纳米管 超长单晶硅纳米丝的化学气相沉积法制备 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 工具用的复晶钻石涂层，则是使用化学气相沉积法制造的。 等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜 本论文分别以化学气相沉积法及电浆辅助化学气相沉积法探讨于低温下合成奈米碳管。 主要内容为以下几个方面: 1 .本文通过化学气相沉积法...
• 化学气相沉积法设备    化学气相沉积法设备
• 增强化学气相沉积    等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 实验以硅烷和氧化二氮作为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积( pecvd )技术，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。 ( 3 )通过全方位离子注入和等离子体增强化学气相沉积相结合，发现制备出的类金刚石薄膜既改善了表面形貌又增强了结合力，因此证明了这是一种较好的制备方法。 微波等离子体增强化学气相沉积法（ mpc...
• 热丝化学气相沉积法    等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜