辐射复合造句

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光致发光过程就是高能量光子照射到晶体上之后，晶体所产生的电子一空穴对的辐射复合过程。
Mqw结构比dh结构更加有效的限制载流子，增加辐射复合效率。
由于单极电荷畴内电场强度增大，从而导致开关体内载流子雪崩倍增和辐射复合，引发了lock - on效应的特有现象。
Dh结构不仅提高了载流子注入比并且加强了载流子限制作用，提高了辐射复合的效率，使得hb - led的亮度大幅度提高。
) y方向上的有效质量减小，而轻空穴则具有负的有效质量，这对器件电注入和光辐射复合是有利的。
当触发光脉冲消失后，单极电荷畴内雪崩电离和辐射复合在开关体内形成了载流子高导电通道，成为了载流子倍增的源泉，控制着lock - on电流。
这些谱线来自于等电子杂质n形成的束缚激子态(孤立n中心和nn _ i对)辐射复合产生的零声子线及其声子伴线。
本文还对经幅照的p -型6h - sic的幅照退火特性进行了研究，在经过1500后退火的样品中没有观察到d _ i - center ，这可能是由于d _ i - center被实验中观察到的源于d - a对辐射复合的高强度的谱峰所掩盖。
在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，详细讨论了包括?族、 ?族化合物半导体材料和多孔硅( ps )等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理、发光二极管的结构与特性.并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用
单晶硅是间接带隙材料,其带间辐射复合效率非常低,难以达到发光器件的要求,与之相比,纳米硅晶在结构、光学及光电性能方面与单晶硅不同,它在发光器件、光探测器件、光电集成以及传感器等领域有更广阔的应用前景。
用辐射复合造句挺难的，這是一个万能造句的方法
用不同的方法制备的51一5102薄膜、 ge一510 :薄膜和al一51一5102薄膜，在较低的电压万均观察到了室温可见电致发光现象，峰位都在510nm左右，其峰位不因薄膜样品内所含颗粒的种类、薄膜的制备方法、偏压及后处理的影响，表明电致发光主要来源于电子和空穴在510 、基质中的发光中心的辐射复合发光。
另外，我们还对薄膜光致发光性质进行了分析和研究，结果表明：纳米结构zno薄膜的紫外发光来源于带间激子的辐射复合发光， pl谱的带边发射峰发生蓝移是由于fe 、 co 、 cu对zn的替代使薄膜粒子的尺寸减小，使薄膜的有效带隙增宽； zno薄膜的红色发光，一方面是zno颗粒尺寸的减少，带间的激子发射峰越来越弱直至猝灭，另一方面主要是与zno晶格中的o空位有关，由深能级复合发光引起红光发射。