空穴的造句

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废料处理费用还取决于贮存空穴的容积和允许的废料最大放射性浓度。
搀杂剂-可以为传导子电供提程过或空穴的元素，此元素可以改变传圆晶。
搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。
近年来，随着工业安全水准的提高，对于动力系统空穴的特性研究日益紧迫。
研究结果表明：热空穴silc机制是由于氧化层空穴的退陷阱效应和正电荷辅助遂穿中心的湮灭。
本文即是针对动力失灵和系统断流两种主要事故工况下，所引起的动力系统中空穴的特性作以研究。
求出了强朗缪尔波的强度和密度空穴的尺度，结果与粒子模拟的预测结果及实验所测数据大致相符。
二氧化钛薄膜是光催化抗菌，掺银二浙江人学帧卜论义氧化钛薄膜阻止光生电子一光生空穴的分离，改变了tioz的能带结构，提高了它的光催化活性。
所使用的近似尺寸接近质量萃取率，从而确保了回采和储存残余卤水时空穴的稳定性，但安全层及其设备的完整性未考虑在内。
韧窝型断裂由材料内空穴的形核、扩张和汇合造成，断裂判据可以采用“ v _ ( gc )准则”或ctod ~ i准则，断裂角可以采用m准则确定。
用空穴的造句挺难的，這是一个万能造句的方法
主要研究结果如下：首先，利用衬底热空穴( shh )注入技术分别控制注入到超薄栅氧化层中的热电子和空穴的数量，定量研究了热电子和空穴注入对超薄栅氧化层击穿的影响，讨论了不同应力条件下的阈值电压变化。
本文针对光催化技术应用中存在的tio _ 2光催化量子效率低，吸收利用太阳能光谱范围有限，催化剂回收困难等问题，通过窄禁带半导体cds ( e = 2 . 5ev )的复合，对纳米tio _ 2进行了改性研究，一方面，由于cds的窄禁带宽度可以扩展薄膜的光谱吸收范围，另一方面，由于能带的交叠，提高了光生电子和空穴的分离效率，从而提高了薄膜的光催化降解效率。
同时，此时sio _ 2 / tio _ 2复合薄膜的荧光光谱显示最低的荧光强度，这表明此时薄膜中的光生电子和空穴的复合速率最低，因而更有利于物质的光催化降解。当热处理温度高于700时，武汉理工大学硕士学位论文薄膜的光催化活性下降，这是由于薄膜中晶相二氧化钦的烧结和成长导致样品的表面积下降以及金红石相的形成。
Pt tio _ 2催化剂的初活性比单一的tio _ 2催化剂的初活性高，这是因为担载的贵金属抑制了电子与空穴的复合，但其再生性能比tio _ 2差，再生后活性只能恢复到初活性的约60 ，且反应活性迅速降低，这可能由于在再生后的pt tio _ 2表面上， h _ 2s通过不完全氧化生成s ~ 0的反应增强所致。
基于光致发光和电致发光中pvk与rubrene发光强度的不同，我们对低掺杂时的电致发光和光致发光进行了比较，并提出：在电致发光中， rubrene的掺入在pvk链间相当于陷阱，其陷阱电子对pvk空穴的吸引，使一部分在光致发光中不参与能量传递的pvk参与了这种陷阱作用，使得在电致发光中不参与能量传递的pvk可能比光致发光中少。
紫外光照射下产生的电子-空穴对迁移到薄膜表面后，有足够的水分子及时地与空穴发生反应，不但减少了电子-空穴的复合机率，而且产生大量的强活性羟基，使薄膜的光催化性增强。
首先，我们计算了有限深gaas - al _ ( 0 . 33 ) ga _ ( 0 . 67 ) as量子阱中激子的束缚能，其中考虑到了阱和垒两种材料中电子和空穴的有效质量以及介电常数的失配影响，我们计算得到的激子的束缚能及相关能与前人的理论结果和实验结果基本上相符合。
在理论上提出在hb - led器件的dh结构中使用p - n结的渐变异质结替代现行的p - n突变异质结。分析采用异质结渐变方式将增加hb - led的电流注入比，减小内建电势，改善晶体质量，并且不影响p - n结对空穴的限制。
为使类阴极射线发光同有机电致发光集成，我们设计了非对称结构al sioz mnppvn ， mn ppv中的发光是由于从sioz出来的电子和从ld注人的空穴的复合，而由于sioz中的电子的倍增过程，从sioz层出来的电子能量不是单一的，而有一个从低能到高能的分布。