硅外延造句

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微波功率晶体管用硅外延片规范
硅外延片
硅外延层电阻率的面接触三探针.测试方法
本文的具体工作可归纳为： 1 )薄硅外延片研制高频肖特基二极管的原型器件。
B )在薄硅外延片的生长基础上，探索制作肖特基二极管的相关工艺，研制高频sbd原型器件。
半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长
A )利用超高真空化学气相沉积( uhv - cvd )技术在重掺si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。
然后，根据器件的要求，利用uhv cvd技术，生长出优质薄硅外延片，其厚度在0 . 4 m 1 m ，掺杂浓度可任意调节，晶体质量良好。
现在，我们浙江大学硅材料国家重点实验室利用uhv cvd技术，生长出亚微米厚的薄硅外延层，在此外延层上研制出高频肖特基二极管原型器件。
但长期以来，由于薄硅外延生长技术的限制，无法生长出优质的厚度小于2 m的薄硅外延层，使硅肖特基二极管的串联电阻无法降的更低，限制了其截止频率的提高。
用硅外延造句挺难的，這是一个万能造句的方法
最后，利用所生长的薄硅外延片，探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺，包括氧化工艺、光刻工艺、真空镀膜工艺等，制作出了高频肖特基二极管的原型器件。
优化了外延条件，结合低温键合与多孔硅的剥离技术，在国内首次用多孔硅外延层转移技术成功地制备出了soi材料。分析表明， eltran - soi的顶层硅厚度均匀，单晶质量优良；界面清晰、陡直；电学特性优异。
Soi技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外延层转移eltran - soi新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究，获得的主要结果如下：系统研究了硅片掺杂浓度、掺杂类型和阳极氧化条件等因素对多孔硅结构、单晶性能和表面状态的影响，发现多孔硅与衬底并不是严格的四方畸变，在多孔硅/硅衬底的界面上，多孔硅的晶格与衬底完全一致，但在孔的边缘，多孔硅的晶格发生弛豫。