热退火造句

• 有报道称采用离子注入的方法将mn ~ +注入到gaas单晶衬底中，经过快速热退火处理后，发现在晶体中生成了mnas第二相。
• 用高真空镀膜机制备了fe _ xcu _ ( ( 1 - x ) )系列颗粒膜，并对部分膜做了加热退火处理，样品被加热到340并且保温2小时。
• 薄膜区：专门沉积“介电层” ， “金属层”等导电或不导电薄膜的区域，并兼做晶圆表面器件之平坦化及高（低）温快速热退火制程。
• 主要工作包括三个部分：首先研究了不同温度的热退火对于硅片氧碳含量和少子寿命的影响，然后将热处理过程应用于常规太阳电池的制备工艺，制出太阳电池。
• 本课题采用离子注入的方法将不同剂量的mn ~ +注入到非掺杂半绝缘( 100 ) gaas单晶衬底中，然后进行不同温度和时间的快速热退火处理，研究了不同的退火条件对样品注入层的晶体结构、电特性和磁特性的影响以及mn ~ +在样品中的存在状态与这些性质之间的关系。
• 作为该项研究的先期工作，首先以p型( 100 )太阳电池用直拉硅片为实验样品，摸索出热退火的最佳处理温度；然后用常规工艺制备了单晶硅太阳电池，测试效率；结果发现用经过热处理的硅片衬底制备的太阳电池比用没有经过热处理的硅片衬底制备的太阳电池其效率有明显改善。
• N型( 80 - 100 ? cm )硅片刻蚀后的多孔硅在胺液中浸泡20min ，然后在氧化炉中进行热退火，退火温度在400时， o _ 2流量为0 . 5l / min的条件下退火30秒，在紫外灯照射下，所得ps发蓝白光。
• 随着大规模集成电路( vlsi )和超大规模集成电路的发展，节省时间、节省能量、容易控制的快速热退火工艺在半导体器件制造工艺中得到了广泛的应用，并且在硅材料的缺陷工程中发挥了特殊的作用，人们通过高温快速热处理在硅片中引入空位，并控制空位的分布，进而形成了具有较强内吸杂能力的洁净区。

• 热退火的英语：thermal annealing