杂质电离能造句

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深能级杂质：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。
对于光伏型探测器和本征光导型探测器,E等于半导体的禁带宽度；对于非本征光导型探测器,E等于杂质电离能。
由于禁带宽度和杂质电离能这两个参数都有较大的选择余地，因此，半导体光子型探测器的响应波长可以在较大范围内进行调节。
2、简并时的杂质浓度：对n型半导体，半导体发生简并时，掺杂浓度接近或大于导带底有效状态密度；对于杂质电离能小的杂质，则杂质浓度较小时就会发生简并。
这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，简并温度范围越大。
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其他语种

杂质电离能的英语：impurity ionization energy

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