杂质浓度造句
- 的损伤退火及杂质浓度分布
- 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
- 用光致发光光谱法测定硅晶体中杂质浓度的试验方法
- 在掺杂上成功消除mg的记忆效应，使得器件各外延层杂质浓度达到设计的掺杂水平。
- 比较了两种商业太阳电池的杂质浓度分布及结深情况；叙述了铝背场的作用及形成原理，对影响铝背场表面浓度和结深的参数作了分析。
- 此工艺发明以来，克服了上述两者的弊端，杂质浓度和结深能准确控制而又能任意调整，可进行低、高浓度阶段性掺杂，得到元素ga在si中的理想分布，而且表面浓度均匀一致、重复性好、合格率和优品率高，改善和提高了器件的综合性能。
- Srtio _ 3和ktao _ 3是典型的量子顺电体，实验表明当两者分别掺杂ba ~ ( 2 + )和li ~ +且杂质浓度超过各自的临界浓度时，顺电相不再稳定，出现由杂质导致的铁电相变。
- 众所周知,扩散系数是温度的敏感函数,而现有的实验装置无法测得扩散过程中基片内的温度分布,因此,为计算杂质浓度分布,首先需要研究激光照射下半导体基片内的四维温度场结构。
- 基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面pmosfet中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究.研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件，且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态.特别是沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化不同.沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大
- 我们发现baxeul _ xtio3 ( o ‘ x ‘ 0 . 2 )的介电常数和由内察的偏置场导致的电极化除了随杂质浓度产生相应的变化，同时在磁和介电性质的藕合作用影响下在低温下偏离通常的量子顺电体行为，在尼尔温度附近出现异常，且磁场通过对最近邻自旋关联的作用来影响介电常数和电极化。
- 用杂质浓度造句挺难的，這是一个万能造句的方法
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