合金扩散型光电晶体管造句

• 合金扩散晶体管    扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。 50年代中期，随着各种新工艺的发展，各种类型的晶体管，如合金结晶体管、表面势垒晶体管、合金扩散晶体管、双扩散晶体管、台面晶体管等相继问世。
• 扩散型晶体管    晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
• 合金型晶体管    合金型晶体管 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
• 晶体管，晶体三极管    TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。
• 晶体管晶体管逻辑    1975～1986年期间，在天光集成电路厂主持了发射极耦合逻辑集成电路系列、低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑集成电路系列的研制和生产工作。 厂1979年获电子工业部颁发的超高速集成电路科技成果一等奖、超高速集成电路标准化一等奖；1982年获电子工业部颁发的低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑集成电路科技成果一等奖和标准化一等奖。
• 光电晶体管    半导体光电子器件gti6型硅npn光电晶体管详细规范 空白详细规范.与光电晶体管输出匹配的环境级光电耦合 空白详细规范:光电晶体管光电复合晶体管光电晶体 电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.规定环境下有光电晶体管输出的光电耦合器 半导体器件.电子器件质量评估协调体系.带光电晶体管输出的特定环境温度光电耦合器.空白详细规范 电子元器件质量评定协调体系.空白详细规范....
• 达林顿光电晶体管    图2.3.3（a）（b）分别表示达林顿光电晶体管的集成电路示意图。
• 双扩散晶体管    （例如Si平面双扩散晶体管）而言，在大电流时βo的下降，Webster effect效应可能不是主要原因，这时更加主要的可能是Kirk效应。 50年代中期，随着各种新工艺的发展，各种类型的晶体管，如合金结晶体管、表面势垒晶体管、合金扩散晶体管、双扩散晶体管、台面晶体管等相继问世。
• 合金结光电管    合金结光电管
• 扩散晶体管    扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。 （例如Si平面双扩散晶体管）而言，在大电流时βo的下降，Webster effect效应可能不是主要原因，这时更加主要的可能是Kirk效应。 ，基区的Gummel数就等于基区掺杂浓度对整个基区宽度的积分；特别，对于均匀基区的扩散晶体管，Gummel数就等于掺杂浓度与基区宽度的乘积。 50年代中期，随着各种新工艺的发...
• 合金晶体管    1956年，研制出中国第一只锗合金晶体管。 （只有合金晶体管可认为是均匀基区晶体管。 （例如合金晶体管）而言，影响特别严重，这往往就是引起其大电流βo下降的主要原因。 显然，对于基区掺杂浓度较低于集电区的合金晶体管和基区宽度较小的各种晶体管，在较高集电结电压时容易发生的是基区穿通而非集电结雪崩击穿。 自建所以来的50多年里，在半导体领域先后创造了41项国内第一，如中国第一只...
• 合金双极晶体管    合金双极晶体管
• 单极型晶体管    这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。 场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。 晶体管按工作原理可分为两大类，一类是双极型晶体管；另一类是单极型晶体管,即场效应晶体管（FET）。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电...
• 双极性结型晶体管    如果输出级使用双极性结型晶体管（bjt），它们通常工作在线性方式下，具有大的集射极电压。
• 双极面结型晶体管    双极面结型晶体管
• 双极型晶体管    六十年代集成电路市场主要为双极型晶体管。 绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 双极型晶体管直流参数测试仪.测试方法 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对 双极型晶体管直流参数测试仪.通用技术条件 开关用双极型晶体管空白详细规范 低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范 就双极型晶体管而言,其门电流等于或超过必要的值,使发射极集电极充分导通的一种状态。 半导体器件分立器件第7部分...
• 双极型功率晶体管    双极型功率晶体管（bipolar power transistor）最普及的一种功率晶体管。 半导体分立器件. 3da601型c波段硅双极型功率晶体管详细规范 例如隔离栅晶体管,既具有MOS功率场效应晶体管的栅控特性，又具有双极型功率晶体管的电流传导性能，它容许的电流密度比双极型功率晶体管高几倍。 它依靠多数载流子工作,因而具有许多优点:能与集成电路直接相连；开关频率可在数...
• 双极结型晶体管    双极结型晶体管 接下来我们讲：大功率晶体管（GTR）-大功率晶体管，也叫双极结型晶体管（BJT）。 TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。 书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。 异质结双极型晶体管（Hetero...
• 型晶体管    上述各种概念都反映在结型晶体管中。 六十年代集成电路市场主要为双极型晶体管。 绝缘栅双极型晶体管固体开关的研制 双极型晶体管直流参数测试仪.测试方法 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对 新型晶体管的开关时间缩短为三分之一 新型晶体管的开关时间缩短了五分之四。 双极型晶体管直流参数测试仪.通用技术条件 开关用双极型晶体管空白详细规范 随函附上我方所订300台t432型晶体管收音...
• 型晶体管开关    相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。
• 增强型场效应晶体管    半导体分立器件. cs139型硅p沟道mos增强型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs6760和cs6762型硅n沟道增强型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs6768和cs6770型硅n沟道增强型场效应晶体管详细规范
• 异质结双极型晶体管    由此，基于本发明的异质结双极型晶体管，不仅可以降低制造成本，还能够实现各电极的良好的欧姆特性。 异质结双极型晶体管（Heterojunction bipolar transistor,HBT）是在双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT)的基础上，只是把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采用了异质结来代替。 本项内容主要研究新...
• 沟道结型场效应晶体管    半导体分立器件. cs3684 cs3687型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范 半导体分立器件. cs3458 cs3460型硅n沟道结型场效应晶体管详细规范
• 点接合型晶体管    点接合型晶体管
• 点接触型晶体管    不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。 由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。 据《日刊工业新闻》报道，这种氮化硅的须触线（点接触型晶体管）为二元取向控制型，它在常温下的强度为1 40 0兆帕斯卡，是现在使用的氮化硅的1.4倍；其破坏韧性值...