双极结型晶体管造句

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双极结型晶体管
接下来我们讲：大功率晶体管（GTR）-大功率晶体管，也叫双极结型晶体管（BJT）。
TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。
书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。
异质结双极型晶体管（Heterojunction bipolar transistor,HBT）是在双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT)的基础上，只是把发射区改用宽带隙的半导体材料，即同质的发射结采用了异质结来代替。
《电工学原理及应用(原书第4版?本科教学版)》主要内容包括：基本电路的分析和测量、一阶电路的暂态响应、交流稳态电路、数字逻辑电路、二极管电路、放大电路、场效应管和双极结型晶体管（三极管）电路、运算放大器。
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor?BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。
全书共分为11章，内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属一半导体结、结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管、金属一氧化物一半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器。
第5章至第11章是关于各种电子器件和集成电路的工作原理与制造工艺方面的内容，分别介绍了：p?n结和金属．半导体结(包括异质结)；场效应晶体管(JFET、MESFET、MOSFET)；双极结型晶体管(BJT和HBT)；光电子器件(太阳电池、光探测器、LED和激光器)；负电导微波器件(隧道二极管、IMPATI和Gunn二极管)；功率半导体器件(SCR和IGBT)等，其中第5章和第9章用了较大篇幅对现代半导体器件和集成电路的制造工艺作了介绍。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor?BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
用双极结型晶体管造句挺难的，這是一个万能造句的方法