晶体管密度造句

该技术使晶体管密度增大，改善了性能，增加了容量，达到在同样面积上存储更大数据量的目的。
图中显示出晶体管密度每个12月增加一倍，然而，在摩尔的简短论著中并没有对这方面进行完整的论述。
与65纳米技术相比，芯片上晶体管密度又提升了一倍，晶体管切换电流减小了30%，晶体管切换速度提高了20%，栅氧层漏电降至原先的10%。
英特尔公司在硅制程技术上的不断创新使晶体管密度约每两年就要翻一番，这就为处理器设计师提供了强大的设计灵活性来设计出更出色的产品。
此外，45纳米产品的普及也让英特尔不用再担心+12V电路供电不足这样的问题，采用最新的45纳米高-k+金属栅极技术处理器的晶体管密度提升了2倍，晶体管切换率降低了30%以上，晶体管切换速度提升了20%以上，而栅极氧化物漏电功率却降低10倍以上。
另与上一代65纳米技术相较，英特尔的45纳米制程令晶体管密度提升近2倍，得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积，令产品较对手更具竞争力，此外，晶体管开关动作所需电力更低，耗电量减少近30%，内部连接线(interconnects)采用铜线搭配Low-k电介质，顺利提升效能并降低耗电量，开关动作速度约加快20%。
用晶体管密度造句挺难的，這是一个万能造句的方法