化学机械造句

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化学机械抛光中抛光垫作用分析
多层互连中的化学机械抛光工艺
化学机械抛光
半导体化学机械研磨垫钻石修整轮cmp dresser
铁氰化钾化学机械抛光液中的腐蚀与钝化
化学机械方法制浆
化学机械加工
化学机械浆
基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型
用于化学浆、半化学机械浆、冷浸法高得率浆及纤维板料的研磨。
用化学机械造句挺难的，這是一个万能造句的方法
其次,设计包含低压淀积氮化硅和化学机械抛光( cmp )等关键步骤的新的soi介质隔离工艺流程。
适合钽酸锂晶片化学机械抛光的抛光盘转速为n _ p = 60rpm ，工件盘中心到抛光盘中心的距离为e = 100mm 。
圆平动研抛( circularlytranslational - movingpolishing , ctp )是一种新型的化学机械抛光方式。 ctp能实现抛光所需要的最佳运动学条件,所以能得到比传统的cmp更好的加工效果。
集成电路( ic )制造工业中,化学机械抛光( chemicalmechanicalpolishing , cmp )广泛应用于计算机硬盘片、硅晶片超光滑无损伤表面的加工。
采用了机械抛光代替了手工抛光，解决了手工抛光造成的表面不均匀以及表面损伤层过厚的问题，并比较了机械抛光与化学机械抛光，初步摸索了合适的化学机械抛光工艺。
会议认为，保护性耕作是采用秸秆或根茬覆盖地表，进行少免耕播种，采取化学机械轮作等不同方式控制病虫草害发生的一项可持续发展的现代农业先进技术。
目前加工过程中存在应力过大，造成表面划伤严重，容易产生破损，离子沾污的问题，因而必须改善切削、研磨机理，把单一的机械作用变为均匀稳定的化学机械作用，以达到浅损伤、低应力的目的，有效的减少破损层和应力的累积，提高产品质量和加工的效率。
通过对钽酸锂晶片的化学机械抛光过程的实验研究，通过测量钽酸锂晶片在不同抛光条件下的表面粗糙度和材料去除率，详细分析了抛光垫材料和状态、抛光压力、抛光盘转速、磨料种类及粒度、抛光液组成等几个因素对抛光表面质量和材料去除率的影响规律。
本论文通过对钽酸锂晶片的化学机械抛光过程的实验研究和抛光运动轨迹的理论分析，研究钽酸锂晶片的抛光加工特性，探讨钽酸锂晶片化学机械抛光机理，系统分析主要工艺参数对化学机械抛光过程的影响规律。