cmos工艺的英文

• cmos process

• "工艺"英文翻译    technology; craft; industria ...
• "cmos" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金属氧化物半导体工艺; 互补式金属-氧化层-半导体; 互补型金属氧化半导体; 逻辑; 相补型金属酸化物半导体; 帧校准器; 中的设置不一致
• "cmos cmos" 英文翻译 :    结构
• "bipolar cmos" 英文翻译 :    双极型互补金属氧化物半导体, 双极型cmos
• "ccd cmos" 英文翻译 :    功能的一体机
• "cmos applications" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体应用
• "cmos chicmos" 英文翻译 :    芯片
• "cmos chip" 英文翻译 :    cmos芯片
• "cmos circuits" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体电路
• "cmos contamination" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体沾污
• "cmos converters" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体倒换器
• "cmos device" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体元件
• "cmos devices" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体装置
• "cmos gate" 英文翻译 :    互补金氧半导体门电路
• "cmos inverter" 英文翻译 :    cmos倒相器
• "cmos latchucmos" 英文翻译 :    结构的闭锁
• "cmos memory" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体存储器; 互补金氧半导体存储器
• "cmos microprocessor" 英文翻译 :    互补金氧微处理器
• "cmos on sapphire" 英文翻译 :    蓝宝石上互补金属氧化物半导体
• "cmos power" 英文翻译 :    互补金属氧化半导体电力
• "cmos process" 英文翻译 :    cmos工艺
• "cmos ram" 英文翻译 :    互补金属氧化物半导体随机存储器
• "cmos structure" 英文翻译 :    互补金氧半导体结构
• "cmos technology" 英文翻译 :    cmos技术; 互补金属氧化半导体技术
• "cmos transistor" 英文翻译 :    互补

• It is fabricated using issi ' s high - performance cmos technology
  它是应用issi的高性能cmos工艺制作而成。
• Then the circuit is successfully implemented in standard 0 . 6um cmos process
  所设计的电路在上华0 . 6 m标准cmos工艺线上流片成功。
• The aim of this thesis is to present cmos rfic design in the standard digital cmos technology
  本文的设计则旨在用标准的数字cmos工艺来完成射频电路的设计。
• A low noise amplifier ( lna ) and a mixer realized in standard digital cmos technology are presented in this thesis
  本文设计了基于标准的数字cmos工艺的低噪声放大器和混频器。
• This chip has been implemented in the smic 0 . 18 m cmos process with single - poly , six - metal and mim capacitors
  该芯片在smic单层多晶, 6层金属, n阱0 . 18 m标准cmos工艺线上一次流片成功。
• In order to realize soc , the technologies used in both the part of base ban d and rf design must be the same
  由于基带部分的cmos工艺相对来讲已经比较成熟，改变基带部分工艺的可能性和可行性不大。
• Meanwhile , cmos technology , due to its mature application in base band uses , draws more and more attentions in rf area
  由于cmos工艺在基带电路的成熟应用，其在射频中的地位也逐渐被人们所重视。
• As all known , the design of the power amplifier is still the bottleneck in rfic design because of the characteristic of the cmos technology
  由于cmos工艺的特点,功率放大器的设计是一直是rfic设计的瓶颈之一。
• At the moment , most of rf chips and ultra high - speed circuits are based on technologies such as gaas , bipolar si , bicmos and so on
  标准cmos工艺作为数模混合集成电路的主流工艺,随着cmos技术的发展,具有广泛的市场前景。
• The temperature characteristics of mosfet , the configuration of mosfet capacitor and mosfet analog switch , based on cmos process , were researched
  分析了cmos工艺下mos器件的温度特性,对mos电容和mos模拟开关的结构做了研究。