耗尽型器件的英文

• depletion device

• "耗尽"英文翻译    exhaust; use up; deplete; ex ...
• "型"英文翻译    mould; model
• "器件"英文翻译    device; parts of an apparatu ...
• "耗尽型" 英文翻译 :    d most; depletion mode; depletion most; depletion type
• "耗尽型耗尽型" 英文翻译 :    depletion mode
• "沟道耗尽型" 英文翻译 :    channel depletion type; channel-depletion type
• "耗尽型mos管" 英文翻译 :    depletion mos
• "耗尽型动作" 英文翻译 :    depletion mode operation
• "耗尽型负载" 英文翻译 :    depletion load
• "耗尽型沟道" 英文翻译 :    depletion channel; depletion type channel
• "耗尽型曲线" 英文翻译 :    depletion-type curve
• "沟道耗尽型结" 英文翻译 :    channel depletion mode junction
• "耗尽型半导体" 英文翻译 :    deplete semiconductor; depletion semiconductor
• "耗尽型晶体管" 英文翻译 :    depletion mode; depletion type tra ister; most depletion type transister
• "平坦型器件" 英文翻译 :    flat device
• "双极型器件" 英文翻译 :    bipolar device
• "台面型器件" 英文翻译 :    mesa device
• "外延型器件" 英文翻译 :    epitaxial device
• "微型器件" 英文翻译 :    micromodule; miniature device
• "小型器件" 英文翻译 :    chip
• "鱼骨型器件" 英文翻译 :    fishbone device
• "增强型器件" 英文翻译 :    enhancement device
• "耗尽型场效应管" 英文翻译 :    depletion field effect transistor
• "耗尽型集成电路" 英文翻译 :    depletion mode integrated circuit
• "选通微型器件" 英文翻译 :    gating module

• Physics device model , component structure design and fabrication technology are discussed based on the thorough analysis of strained silicon and soi physics mechanism . the detail contents are as follows . the analytical threshold voltage model , drain current model and transconductance model are derived from poisson ’ s equation for the fully depleted strained soi mosfet
  本论文围绕这一微电子领域发展的前沿课题,在深入分析应变硅和soi物理机理的基础上,对器件的物理模型、器件结构设计和工艺实验等问题作了研究,主要包括以下几部分:首先,从器件的物理机制出发,建立主要针对薄膜全耗尽型器件的阈值电压、输出电流和跨导模型。

• 耗尽型器件的日语：ディプレッションデバイス