离子注入法的英文

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"离子"英文翻译 ion
"注入"英文翻译 pour into; empty into; inpou ...
"法"英文翻译 law
"单离子注入" 英文翻译 : single ion implantation
"离子注入" 英文翻译 : implantation, ion; ion implantation; ion injection
"离子注入层" 英文翻译 : ion implanted layer
"离子注入机" 英文翻译 : ion implantation apparatus; ion implantation machine; ion implanter
"离子注入结" 英文翻译 : ion implanted junction
"磷离子注入" 英文翻译 : phosphorous ion implant
"硼离子注入" 英文翻译 : boron implantation
"卵腔内精子注入法" 英文翻译 : suzi
"低能离子注入" 英文翻译 : low energy ion implantation
"分子离子注入" 英文翻译 : molecular ion injection
"高能离子注入" 英文翻译 : high energy ion implantation
"沟道离子注入" 英文翻译 : channel ion implantation
"离子注入掺杂" 英文翻译 : ion implantation doping
"离子注入工艺" 英文翻译 : ion implantation technology
"离子注入沟道" 英文翻译 : implanted channel
"离子注入剂量" 英文翻译 : ion implantation dosage
"离子注入逻辑" 英文翻译 : ion implantation logic
"离子注入势垒" 英文翻译 : ion implanted barrier
"离子注入损伤" 英文翻译 : ion implantation damage
"离子注入吸除" 英文翻译 : ion implant gettering; ion implantation gettering
"离子注入掩膜" 英文翻译 : ion implantation mask
"离子注入杂质" 英文翻译 : ion implanted impurity

3 . to avoid the high temperature process in sige cmos technics , appropriate implantation energy and dose and rtp ( rapid thermal anneal ) are introduced into the the fabrication of sige cmos double - well and source
3 .研究了离子注入法形成sigehcmos的双阱及源漏工艺。确定了注入的离子类型、剂量、能量等关键参数。
In this paper , we used different doping means to prepare the mn - doped gaas material . firstly , we incorporated mn of different dose into gaas by ion implantation , including the couple - ion implantation with mn + and c , then performed rapid thermal annealing in different temperature . furthermore , we incorporated mn into gaas using different mn sources ( pure mn and mnas ) by diffusion
本论文利用不同掺杂方法进行了掺mngaas这种dms材料样品的制备，首先利用离子注入法对砷化镓( gaas )材料进行不同剂量的锰( mn ~ + )离子注入，其中包括加碳( c )的双离子注入，然后在不同温度下进行快速退火处理；此外还利用扩散法对gaas晶片进行不同mn扩散源(纯mn 、及mnas )的掺杂。