硅氧化的英文

• siliconoxidation

• "硅"英文翻译    silicon
• "氧化"英文翻译    oxidize; oxidate; oxide; bur ...
• "硅氧；氧化硅" 英文翻译 :    silica
• "硅氧化期" 英文翻译 :    silicon blow
• "聚硅氧化合物" 英文翻译 :    cyclopentasiloxane
• "铂硅氧化铝催化剂" 英文翻译 :    platinum-silica-alumina catalyst
• "硅氧" 英文翻译 :    silica◇硅氧胶 silicone jelly
• "金属氮化硅氧化硅半导体" 英文翻译 :    metal nitride oxide semiconductor
• "金属氮化硅氧化硅半导体存储器" 英文翻译 :    metal-nitride-oxide-semiconductor memory; mnos memory
• "金属氮化硅氧化物半导体存储器" 英文翻译 :    metal nitride oxide semiconductor memory
• "硅氧层" 英文翻译 :    silica layer
• "硅氧键" 英文翻译 :    silicon-oxygen bond; silicon-oxygen linkage; silicon-oxygenbond
• "硅氧胶" 英文翻译 :    silicone jelly
• "硅氧烷" 英文翻译 :    [有机化学] oxosilane; siloxane◇硅氧烷高聚物 siloxane polymer; 硅氧烷基 siloxy group
• "硅氧烯" 英文翻译 :    siloxene
• "聚硅氧" 英文翻译 :    polysiloxane; silicone
• "氨基硅氧烷" 英文翻译 :    aminosiloxane
• "纯态硅氧" 英文翻译 :    silex
• "大环硅氧烷" 英文翻译 :    macrocyclic siloxane
• "二硅氧烷" 英文翻译 :    disiloxane
• "氟硅氧烷" 英文翻译 :    fluorosilicone
• "高硅氧玻璃" 英文翻译 :    shrunk glass; vycor glass
• "高硅氧棉" 英文翻译 :    high silica wool
• "硅氧聚合体" 英文翻译 :    dimethicone copolyol
• "硅氧聚合物" 英文翻译 :    silicone polymer

• Silicon / silicon oxide nanofilms and multilayer films were prepared by vacuum evaporation process followed by natural oxidation
  摘要用真空蒸发技术和自然氧化法在玻璃衬底上制备纳米级的硅氧化硅薄膜和多层膜。
• The sem results showed that the surface of multilayer films is homogeneous and their thickness is in accord with that by weighing method
  Sem检测表明，硅氧化硅多层膜的厚度和称重法所估算的厚度相符，薄膜表面均匀。
• Method for the determination of mgo , sio sub2 ; , cao . fe sub2 ; o sub3 ; , alo sub3 ; , mno , tio sub2 ; contents in magnesite for export - x - ray fluorescence spectrometric method
  出口镁砂中的氧化镁氧化硅氧化钙氧化铁氧化铝氧化锰氧化钛的测定x射线荧光光谱法
• The u - i properties of the samples at room temperature and cryogenic temperature ( 77k ) were measured by three - point method , and it was found that there is an effect like negative resistance in such multilayer films
  本文采用三点法测定了常温、低温下的u - i特性，发现常温、低温下纳米量级的硅氧化硅多层膜具有类似负阻的特性。
• The paper is mainly focused on two fields . one is the formation of any thick porous silicon ( ps ) layers , which is content with 1c process . the other is the low - loss performance of passive elements fabricated on ps / oxidized porous silicon ( ops ) inter - layers under microwave operation
  本论文主要的研究内容分为两个方面：其一是厚度可控的与ic工艺兼容的多孔硅膜的形成技术研究；其二是研究在多孔硅氧化多孔硅介质膜上制备无源器件的微波低损耗特性之可行性。