砷化铟的英文

• indium arsenide

• "砷"英文翻译    arsenic
• "化"英文翻译    change; turn; transform
• "铟"英文翻译    indium
• "氮砷化铟镓" 英文翻译 :    ingaasn
• "砷化铟探测器" 英文翻译 :    indium arsenide detector
• "砷化铟光电二极管" 英文翻译 :    indium arsenide photodiode
• "砷化" 英文翻译 :    aluminium arsenide band; gallium(iii) arsenide
• "氮化铟" 英文翻译 :    indium nitride; indiumnitride; ingan; inn
• "磷化铟" 英文翻译 :    indium pho hide; indium phosphide; inp
• "硫化铟" 英文翻译 :    indium sulfide
• "卤化铟" 英文翻译 :    indium halide
• "氯化铟" 英文翻译 :    indium chloride 111in
• "锑化铟" 英文翻译 :    indium antimonide; indium stibide; lndium antimonide
• "氧化铟" 英文翻译 :    indium oxide
• "溴化铟" 英文翻译 :    indium bromide
• "砷化钡" 英文翻译 :    barium arsenide
• "砷化的" 英文翻译 :    arseniureted
• "砷化铬" 英文翻译 :    chromic anhydride; chromic arsenide
• "砷化汞" 英文翻译 :    mercury arsenide
• "砷化钾" 英文翻译 :    gallium-arsenide (gaas); gallium-arsenide(gaas)
• "砷化铝" 英文翻译 :    aluminium arsenide
• "砷化镁" 英文翻译 :    magnesium arsenide
• "砷化钠" 英文翻译 :    sodium arsenide; sodium arsentie
• "砷化镍" 英文翻译 :    nickel arsenide
• "砷化硼" 英文翻译 :    boron arsenide

• For the requirement of more negative differential resistance ( ndr ) routes , three split quantized energies are formed in the four - period inp / ingaas superlattice structure with relatively thin ingaas quantum wells under ideal flat - band condition , and high - field domain in the superlattice is formed under sufficiently large operation bias
  为获得?多轨迹的负微分电阻，本研究组件使用?相当薄之砷化铟镓?子井，可使四周期磷化铟/砷化铟镓超晶格结构在平带情况下形成三个分?的?子化能阶，且于足够大的操作偏压下在该超晶格结构中形成?高场区域。

• 砷化铟的法语：Arséniure d'indium
• 砷化铟的日语：インジウムひそ ひ化インジウム ひか化 インジウムひ素
• 砷化铟的俄语：Арсенид индия
• 砷化铟的阿拉伯语：زرنيخيد إنديوم ثلاثي;