游离硅的英文

• free silica
• free silicon

• "游离"英文翻译    dissociate; drift away
• "硅"英文翻译    silicon
• "含游离硅氧较多的粘土耐火砖半硅砖" 英文翻译 :    semi-silicabrick
• "游离" 英文翻译 :    1.(离开集体或附属的事物而存在) dissociate; drift away 游离在集体之外 sever one's connection with the collective2.[化学] free
• "初游离；原游离" 英文翻译 :    primary ionization
• "摆脱；游离" 英文翻译 :    extrication
• "初游离" 英文翻译 :    initial ionization; ionization， initial
• "单游离" 英文翻译 :    ionization， single
• "低游离" 英文翻译 :    low free tdi prepolymer
• "光游离" 英文翻译 :    photoionization
• "全游离" 英文翻译 :    ionization， total
• "使游离" 英文翻译 :    disengage; isolate; liberate
• "消游离" 英文翻译 :    deionization
• "游离；释出" 英文翻译 :    set free
• "游离氨" 英文翻译 :    dissociated ammonia; free ammonia; unbound ammonia
• "游离瓣" 英文翻译 :    free flap
• "游离壁" 英文翻译 :    free wall
• "游离层" 英文翻译 :    ionized layers; ionized stratum; ionosphere; thermosphere
• "游离氮" 英文翻译 :    free nitrogen
• "游离的" 英文翻译 :    absolute; free; loose; nomadic; unbound; uncombined
• "游离点" 英文翻译 :    stay piont
• "游离度" 英文翻译 :    degree of ionization; freeness; ionization degree
• "游离端" 英文翻译 :    free-end
• "游离酚" 英文翻译 :    free phenol
• "游离核" 英文翻译 :    free nuclei; free nucleus

• Chemical analysis for silicon carbide refractories - determination of free silicon - gas volumetric method
  气体容量法测定游离硅量
• Chemical analysis for silicon carbide refractories - determination of free silicon - gas volumetric method
  碳化硅耐火材料化学分析方法气体容量法测定游离硅量
• Testing of ceramic materials ; chemical analysis of silicon carbide ; determination of the free silicon content
  陶瓷材料的检验.碳化硅的化学分析.游离硅含量的测定
• An ideal way to improve this is to replace the free si with msi2 ( m stands for metal element ) with a melting point up 1700 1c
  用高熔点的msi _ 2 ( m表金属元素)取代游离硅是提高材料使用温度的理想途径。
• Chemical analysis for silicon nitride bonded silicon carbide product . determination of free silicon content . molybdenum blue photometric method
  氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法.钼蓝光度法测定游离硅量
• But usually , the rbsc materials contains some amounts of free silicon . the existence of the free si limits its summit use temperature
  但是，由于工艺本身的特点， rbsc材料中含有一定量的游离硅( fsi ) 。
• It shows there was a critical volume fraction . only when the initial pore volume fraction of the perform equal to the critical volume fraction , the free si was fully replaced with the mosi2 particles . otherwise . there would be free c and free si in the infiltrated materials
  结果表明，坯体的初始空隙率存有一个临界值。只有当坯体的初始空隙率等于此值时，材料中的游离硅才可能被mosi _ 2完全取代。