栅场效应晶体管的英文

• grid field effect tra istor
• grid field effect transistor

• "栅"英文翻译    railings; paling; palisade; ...
• "场效应"英文翻译    field effect
• "晶体管"英文翻译    transistor; crystal valve
• "浮栅场效应晶体管" 英文翻译 :    floating gate fet
• "结栅场效应晶体管" 英文翻译 :    junction gate fet
• "双栅场效应晶体管" 英文翻译 :    double-gate field effect transistor; dual gate fet
• "型栅场效应晶体管" 英文翻译 :    v gate fet
• "隐栅场效应晶体管" 英文翻译 :    gridistor
• "绝缘栅场效应晶体管,隔离栅场效应晶体管" 英文翻译 :    insulated gate field-effect transistor
• "单栅场效应晶体管 单栅极场效应晶体管" 英文翻译 :    singlegatefet
• "v 型栅场效应晶体管" 英文翻译 :    v gate fet
• "补偿栅场效应晶体管" 英文翻译 :    offset gate fet
• "电阻绝缘栅场效应晶体管" 英文翻译 :    resistive insulated gate fet
• "多梳形栅场效应晶体管" 英文翻译 :    multiple gate finger fet
• "隔离栅场效应晶体管" 英文翻译 :    isolated bate field-effect transistor; isolated gate field effect transistor
• "硅绝缘栅场效应晶体管" 英文翻译 :    sigfet; silicon insulated gate fet
• "互补隔离栅场效应晶体管" 英文翻译 :    cigfet; complementary insulated gate fet
• "绝缘栅场效应晶体管" 英文翻译 :    igfet; isolated gate fet; isolated gate field effect transistor; isolated-gate field effect transistor
• "面结型栅场效应晶体管" 英文翻译 :    junction gate field effect transistor
• "以下的单栅场效应晶体管" 英文翻译 :    ghz5ww
• "自对准栅场效应晶体管" 英文翻译 :    self aligned gate fet
• "场效应晶体管" 英文翻译 :    dmosfet dmos; double diffused mos fet dmos; fet field effect transistor; field effect tra istor; field effect transistor (fet); field-effect transistor
• "金属-氧化物-半导体绝缘栅场效应晶体管" 英文翻译 :    mos insulated-gate field-effect transistor
• "金属肖特基栅场效应晶体管" 英文翻译 :    metal schottky fet
• "绝缘栅场效应晶体管集成电路" 英文翻译 :    bigfet bipolar insulated gate fet ic

• Blank detail specification - single gate field - effect transistors ; german version en 150012 : 1991
  空白详细规范.单栅场效应晶体管
• Semiconductor discrete devices . detail specification for type cs0558 gaas microwave dual gate fet
  半导体分立器件. cs0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
• Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components - blank detail specification : single gate field - effect transistors
  电子元器件质量评定协调体系规范.空白详细规范.单栅场效应晶体管
• Semiconductor devices - discrete devices . part 8 : field - effect transistors . section one - blank detail specification for single - gate field - effect transistors up to 5w and 1ghz
  半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1ghz 5w以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
• Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components - blank detail specification - semiconductor devices - discrete devices - field - effect transistors - blank detail specification for single - gate field - effect transistors , up to 5 w and 1 ghz
  电子元器件质量评估协调体系.空白详细规范.半导体器件.分立器件.场效应晶体管.功率达5w和1ghz的单栅场效应晶体管空白详细规范