枝状晶体生长造句

• 枝状晶体生长    主指金属材料在凝固过程中，由于凝固界面前温度梯度的出现，而使晶粒成树枝状晶体生长，最早生长的一批晶粒称为一次枝晶primary dendrite，一次枝晶之间的间距称为一次枝晶间距。
• 枝状生长    表面可能显示树枝状生长纹或不规则的小丘或瘤状物与天然钻石不同。 所谓银的迁移，是当银作为电极而有直流电流流过时，从阳极来的银在阴极呈树枝状生长，导致短路的现象。 负的温度梯度及成分过冷，使平滑的奥氏体层面变得不稳定，导致界面上选择性偶发突出，伸入液体形成枝状生长。 外翻型乳头状瘤来自鳞状上皮，乳头状向表面生长，内有结缔组织形成的中轴，表面被覆复层鳞状上皮，无含糖原细胞；内翻...
• 枝状晶体    某些树枝状晶体，也是一种平行连生的晶体。 晶体沿着角顶或晶棱方向平行连生，从而形成树枝状晶体。 定义：由于不平衡凝固而形成的树枝状晶体所组成的组织。 在一定凝固温度范围内结晶的亚共晶合金，凝固时铸件内存在一个较宽的既有液体又有树枝状晶体的两相区。 在低电流密度时，镀层晶粒较大，反之则生成很多小晶粒，镀层细密，但电流密度过大会出现枝状晶体和气孔。 二苄基二硫，白色或微黄色树枝...
• 国际晶体生长组织    ；国际陶瓷联合会；联合国际耐火材料学术会议组织；国际晶体生长组织。 第一位被邀请的是国际晶体学界的权威、国际晶体生长组织主席美国劳迪斯博士。 国际玻璃协会；国际陶瓷联合会；联合国际耐火材料学术会议组织；国际晶体生长组织。
• 布里奇曼晶体生长法    布里奇曼晶体生长法。
• 晶体生长    这些缺陷在晶体生长时出现，有这类缺陷的晶体不能用于集成电路制造，应报废。 再略为详细地讨论液相外延生长过程，因为晶体生长是实现集成光路使用的必不可少的一个环节。 在生产中，为提高其成品率和可靠性，从晶体生长到器件封装每一步工序均有很多细致工作要做。 2晶体生长与开裂分析 激光晶体生长与开裂分析 尖晶石晶体生长机理的科学计算研究 晶体生长实时观测技术研究进展 2...
• 晶体生长理论    本文在晶体生长理论的基础上，采用配位沉淀法实现了对ni ( oh ) _ 2结晶过程的有效控制。 制备文石相碳酸钙晶须的研究对促进我国传统碳酸钙产业、新材料的开发以及晶体生长理论的发展都具有重要的理论意义和实践意义。 文摘:在分析前人的晶体生长理论时，作者认为晶体生长过程中可能存在界面相；在分析各种晶体生长现象后认为，晶体生长过程中界面相是存在的，并起着十分重要的作用；通过...
• 晶体生长速率    定量地讨论成矿过程中的某些问题，例如侵入体四周水热流体的运移模式，晶体生长速率模式等。 溶液的过饱和度，与晶核生成速率和晶体生长速率都有关系，因而对结晶产品的粒度及其分布有重要影响。 长期从事教学、科研及技术服务工作，完成了与德国合作科研“杂质对晶体生长速率的影响”等多项科研项目，撰写了多篇科技论文，在国内外科技期刊及多个国际专业学术会议上发表。 曾参与国家自然基金2项（1...
• 晶体生长速度    从dkdp晶体生长基元的形成、扩散、吸附等方面研究了dkdp晶体生长的微观机制，提出了提高晶体生长速度的具体方法。 研究结果表明：母液循环可以提高碱式氯化镁晶须的产率；添加晶种可明显的改善晶形；合适的添加剂可以降低晶体生长速度并可提高晶须的粒径分布；而同时加入不同用量的晶种和pb ~ ( 2 + ) ，试验结果表明晶种含量在0 . 075 ， pb ~ ( 2 + )在20...
• 晶体生长机理    尖晶石晶体生长机理的科学计算研究 晶体生长机理的研究综述 对晶体生长机理的研究现状和发展趋势予以了讨论。 本工作利用电气石矿物材料的天然电极性、辐射红外线性能和tio _ 2的光催化性能，研制以电气石为载体， tio _ 2薄膜和[ tio _ 2 ， sio _ 2 ]复合薄膜为催化剂的新型复合催化材料。研究材料的制备技术、结构、性能及电气石表面tio _ 2晶体生长机理...
• 晶体生长器    此外，赛伦还用做钢的水平连注机上的分流环、晶体生长器具、坩埚、高炉炉下部内衬、铜铝合金管拉拔芯棒、压铸模具等。
• 晶体生长技术    本文探索碳化硅晶体生长技术的若干基本问题，特别对热系统的设计和热场分布问题，以及用- sic薄膜在碳饱和硅熔体中进行液相外延生长的基本工艺问题等进行了研究，获得以下主要创新结果： 1 本论文用自动化熔体提拉技术成功生长出< 111 >方向的直径25mm以上,长度80mm以上的平界面无核心nd : cngg单晶,确定了晶体结构和物相,测量了晶体的光谱性能,晶体消光比达到34d...
• 晶体生长炉    晶体生长炉具有参数时变、大惯性和大纯滞后的特点，应用常规pid控制算法，动态性能不理想；应用模糊控制算法，稳态精度不能令人满意，都难以实现有效的控制。 在晶体生长炉温场均匀性高于2 . 5oc 、控温精度高于0 . 2oc 、降温速度为0 . 2oc ~ 2oc的条件下，采用浸没籽晶缓慢降温法生长出宏观无明显缺陷的掺质ktp晶体。 研究了生长高光学质量、低电导...
• 晶体生长原理与技术    《晶体生长原理与技术》分4篇探讨晶体生长的原理与技术。 《晶体生长原理与技术》可供从事晶体生长的科研和下程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。
• 晶体生长现象    文摘:在分析前人的晶体生长理论时，作者认为晶体生长过程中可能存在界面相；在分析各种晶体生长现象后认为，晶体生长过程中界面相是存在的，并起着十分重要的作用；通过分析研究，将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分：界面层、吸附层和过渡层；并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用；在此基础上提出了界面相模型。
• 晶体生长方法    一种常用的晶体生长方法。 籽晶生长法是在熔体中加入籽晶的晶体生长方法。 单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。 20世纪60年代，提拉法进一步发展为一种更为先进的定型晶体生长方法??熔体导模法。 ⑤Pb(Zr,Ti)O3铁电体薄膜的晶体生长方法、生长方向的控制及其铁电性、热释电性及压电性的研究。 3.单晶的生长:采用浮区法、电弧熔融技术、顶...
• 晶体生长装置    冷坩埚法的晶体生长装置采用“引燃”技术，解决一般非金属材料如金属氧化物MgO、CaO等电阻率大，不导电，所以很难用高频电磁场加热熔融的问题。 1989年起，龚惠兴与科学家合作开展空间微重力科学研究，主持了空间蛋白质晶体生长装置的研制和二次轨道试验，领导了空间晶体实时观测装置和空间通用生物培养辐射的研制和轨道试验，均取得成功。 3、空间生命科学仪器的研制：研制高空生理实验用低...
• 晶体生长基础    在新型光电子晶体材料设计、合成制备、晶体生长技术、晶体生长基础理论（晶体成核和晶体生长动力学）、晶体结构与性能的关系和晶体器件加工与应用等研究领域开展了系统、深入地科学研究工作，发表了有关研究论文70多篇。
• 晶体定向生长    在圣彼得堡国立技术大学及莫斯科航空材料研究院，他的“关于晶体定向生长及单晶高温合金问题”的讲学受到高度评价。 微晶陶瓷的微观结构对材料的力学性能有很大影响，采用热挤压、温度梯度等方法使晶体定向生长，可大幅度提高力学性能。 本书结合晶体定向生长的基本理论，在参考目前国内外晶体定向生长及控制方面研究工作的基础上较全面地介绍了晶体定向生长的理论和实践。 全书共分为5章，前2章系统...
• 晶膜生长台面晶体管    晶膜生长台面晶体管
• 气相晶体生长    第三篇为晶体生长技术.分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。
• 溶液生长晶体    它类似于一般的溶液生长晶体。 溶液生长晶体 LN在光照下易产生折射率变化，有光损伤现象；BNN的损伤阈值比LN高，但固熔区域较宽，组分易变动而导致光学均匀性变差，较难得到性能优良的大型晶体；铌酸钾不存在固熔区，有可能得到光学性质均匀的大型晶体；α型碘酸锂是水溶液生长晶体，能培养出光学质量好的大型晶体，且损伤阈值比BNN晶体高，缺点是不具有非临界匹配能力。
• 激光晶体生长    激光晶体生长与开裂分析 本文基于电力电子理论，采用全控型电力半导体器件igbt ，研制了适用于激光晶体生长设备的中频感应加热电源。 在激光晶体生长等径控制过程中，有两个关键环节：测径数据采集系统和控制算法。晶体生长是在数千度的高温下进行的，采用常规的测径方法，精度不高，这将对整个系统的控制性能产生影响。
• 生长良好的晶体    生长良好的晶体,外观上往往呈现某种对称性（图1）。
• 生长晶体    性能测试结果表明，点状籽晶全方位生长的dkdp晶体的激光损伤阈值约为5gw cm ~ 2 、半波电压约为4kv 、动态消光比约为1600 ： 1 ，发现与传统方法生长晶体的性能没有明显的差别。 Etc . ，退火炉及单晶炉用发热体硅化钼，炭化硅，晶体生长和光学镀膜用高纯氧化物稀土氧化物，二氧化硅，三氧化铝，二氧化钛，三氧化二钛，五氧化三钛等，生长晶体用钨钼坩埚及钨钼制品和保...