单片衬底造句

• 单片衬底    随着光通信、光信息处理、光计算等技术的发展，加之材料科学和制造技术的进展，使得在单一结构或单片衬底上集成光学、光电和电子元器件成为可能，形成具有单一功能或多功能的光电子集成回路（OEIC）和集成光路（IOC）。
• 单块衬底    RF SoC是一个小系统，人们必须从系统的观点来观察和分析，因此在设计时，必须考虑到数字、模拟和RF电路集成到单块衬底上带来的问题，包括：集成天线和无源器件的仿真和参数提取，VCO的牵引问题，衬底的建模和信号通过衬底的耦合，快速的系统级仿真等。
• 共衬底    除公共衬底外,还有两个电极。 增加的衬底层是所有元件的公共衬底，增加的一个PN结是隔离结(包括衬底结)。 此外，有大功率芯片干扰或者数模混合电路共衬底时，电源噪声的影响更加明显。
• 化学抛光衬底    化学抛光衬底
• 半导体衬底    主要结果如下：一、半导体衬底上外延生长fe单晶超薄膜的磁性的研究1 含有少量杂质的刚玉晶体( - al _ 2o _ 3 )不仅由于其色泽艳丽成为人们珍爱的名贵宝石，而且由于它具有的优异性能，被广泛应用于电工、机械、激光器，光学器件和半导体衬底材料。钛蓝宝石是目前最优异的固体宽带调谐激光材料，用于制作飞秒脉冲可调谐激光器。氧化锌晶体是直接带隙宽禁带半导体材料(禁带宽度3 ....
• 型衬底    这一电压在栅极氧化物层上产生一个电场，它导致毗邻的P型衬底转变成N型。 这一电压在栅极氧化物层上产生一个电场，它导致毗邻的p型衬底转变成n型。 摘要提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型。
• 型槽硅衬底    型槽硅衬底
• 复合衬底    结果表明，在蓝宝石复合衬底上可以生长出均匀连续的sic单晶薄膜。 本论文提出了在蓝宝石上引入一层缓冲层材料形成复合衬底，采用常压化学气相淀积( apcvd )方法在其上异质外延生长sic薄膜的技术，分析了cvd法生长sic的物理化学过程，通过实验提出sic薄膜生长的工艺条件，并通过x射线衍射( xrd ) 、 x射线光电子能谱( xps ) 、光致发光谱( pl谱)和扫描电...
• 外延衬底    本项目目前已完成了simox外延衬底的制备（ i层0 . 37um ，外延硅层2 . 8um ） ，以及功率开关集成电路的电路设计，工艺设计和部分版图设计。 同时它还可作为红外探测器材料碲镉汞( hgcdte )和外延衬底，以及激光窗口和太阳电池等。 本文主要进行了三个方面的工作： 1 、提出了降场电极u形漂移区的横向高压器件结构tsoi （ trenchsoi ） ，并建...
• 小衬底    由仿真结果可知,提高集成电感品质因数与自谐振频率的主要途径是要减小衬底的涡流损耗,其简约集总模型可较为精确的等效集成电感各端口电气特性。
• 底衬    鞋类.鞋内底衬和内垫的试验方法.耐汗渍 鞋类.内底外底衬里和鞋垫的试验方法.水溶含量 浸渍剂对漆包线底衬的附着强度的测定试验方法 浸渍剂对漆包线底衬的附着强度测定的试验方法 草丝在簇绒机上被切割成“ u ”型，针织在聚丙烯底衬上。 涂料和相关制品使用前钢底衬材料的制备.非金属喷砂清理磨料.铁铝榴石
• 异质衬底    在异质衬底生长金刚石膜的作用分析
• 沟道衬底平面结构    半导体分布反馈激光器有多种结构，如同质结、单异质结、双异质结、光和载流子分别限制异质结、沟道衬底平面结构、具有横向消失场分布反馈的沟道衬底平面结构、隐埋异质结、具有横向消失场分布反馈的条形隐埋异质结等。
• 玻璃衬底    玻璃衬底材料湿润度的试验方法 玻璃衬底用表面电阻率的测量方法 玻璃衬底上制备钛酸铋铁电薄膜 4 )玻璃衬底上倒向结构nip电池的沉积。 该材料作为一种薄膜用于玻璃衬底，如光纤或载玻片。 能否象在玻璃衬底上一样，在ito上也能实现波导式激光，实验给出肯定回答。 摘要用真空蒸发技术和自然氧化法在玻璃衬底上制备纳米级的硅氧化硅薄膜和多层膜。 首次用热蒸发法在玻璃衬底上制备了多晶l...
• 电路衬底    材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。
• 石英衬底    我们通过改变氮化程序，分别在石英衬底上合成了平直的gan纳米线和鱼骨形gan纳米线。 本文采用电子束蒸发方法在石英衬底上制备出质量较好的al掺杂的zno薄膜材料。 本文采用触媒cvd方法，在单晶si和石英衬底上制备出纳米立方sic ( - sic )薄膜。 3 、采用金属镓层氮化技术，利用我们自行改造的热蒸发设备和氨气氮化设备，在无定形石英衬底上生长出具有择优取向的多晶ga...
• 硅衬底    硅衬底纳米钛酸钡湿敏元件特性分析 蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究 硅衬底ba1 - xsrxnbyti1 - yo3薄膜光敏特性的研究 首先在硅衬底的掩膜上要开一组圆孔，圆孔的尺寸与最终的轮廓相对应。 精抛作为抛光过程中的最后一步，精抛的结果决定了硅衬底抛光片质量的好坏。 研究结果为多孔硅衬底上材料的生长和光学性能的研究提供了良好的实验依据。 通常把衬底分为三类...
• 绝缘衬底    消除这个问题的一个方法是把器件制造在绝缘衬底的硅岛上，如图32所示。 绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌 一种微电子电路器件，其中的无源元件及内部金属连线直接在绝缘衬底上形成，然后再加上有源半导体器件（通常以大圆片形式给出） 。
• 蓝宝石衬底    蓝宝石衬底的特征测量标准指南 ( 2 )以在位监测为辅助工具，研究了蓝宝石衬底氮化的影响。 本文主要开展了蓝宝石衬底上氧化硅增透保护膜系的设计与制备工艺和性能研究，为将氧化硅用作蓝宝石头罩的增透保护涂层奠定了基础。 目前gan的外延生长技术一般采用有机金属化学气相外延法( mocvd ) ，在蓝宝石衬底的( 0001 )面上外延生长gan材料，另外还有分子束外延技术( mb...
• 薄膜衬底    包装：多层牛皮纸袋，聚乙烯薄膜衬底，每袋净重 塑料薄膜衬底上复合敏感膜热释电传感器的制备 云母基绝缘材料规范.第3部分:单项材料规范.第4节:用b级环氧树脂粘合剂粘结的聚酯薄膜衬底云母纸 云母基绝缘材料规范.第3部分:单项材料规范.第4活页:用b级环氧树脂粘合剂粘结的聚酯薄膜衬底云母纸 云母基绝缘材料规范.第3部分:专用材料规范.活页4 :用b级环氧树脂粘合剂粘结的聚酯薄膜...
• 衬底    衬底可能是相当致密的和稳定的。 衬底温度对于无序区积累的影响是很显著的。 光在由薄膜，衬底和覆盖层组成的混合介质中传输。 折射率为nf的平面薄膜夹在感光衬底和覆盖层之间。 消除这个问题的一个方法是把器件制造在绝缘衬底的硅岛上，如图32所示。 这一电压在栅极氧化物层上产生一个电场，它导致毗邻的P型衬底转变成N型。 薄膜和衬底的折射率之间的典型的差值分布在拥禁的范围内。...
• 衬底支撑组件    衬底支撑组件在处理室中支撑衬底。 所述的衬底支撑组件具有：支撑块，所述支撑块具有电极；以及臂，用于在所述处理室中支持所述的支撑块，所述的臂具有贯穿其中的通道。
• 衬底杂质    的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
• 衬底材料    玻璃衬底材料湿润度的试验方法 组织工程医疗产品用衬底材料特征描述和试验的标准指南 衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响 为研究不同衬底对薄膜zno质量和生长工艺的影响,选择了在自制的linbo3作为生长zno薄膜的衬底材料。 薄膜的xps表明tisi _ 2作为中间层能起到阻止衬底材料与金刚石的界面反应作用，提高了金刚石薄膜的附着性。 以往的宽带-族半导体...
• 衬底扩散    在形成金属化层以前，在第一钝化层上再生长第二钝化层，主要由磷硅玻璃、低温淀积二氧化硅等构成，能吸收和阻挡钠离子向硅衬底扩散。 ⑥弥散：饱和曝光量以上的过亮光像会在象素内产生与积蓄起过饱和信号电荷，这时，过饱和电荷便会从一个像素的势阱经过衬底扩散到相邻像素的势阱。