半导体禁带宽度造句

• 半导体禁带宽度    族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算 具体来说在光照下，如果光子的能量大于半导体禁带宽度，其价带上的电子（e-）就会被激发到导带上，同时在价带上产生空穴（h+）。 由于功率的消耗会引起芯片温度的升高，而半导体禁带宽度的限制，将使得半导体器件存在一个最高工作温度，则集成电路也就存在有一个最大的功耗。 （3）半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生...
• 宽禁带半导体    氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。 近年来， zno作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。 Zno ，作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，是继gan之后光电研究领域又一热门的研究课题。 宽禁带半导体碳化硅( sic )材料由于其本身具有各种优异特性，使得在应用于高温、高频、高功率器件方面具有特殊的地位。 但由于tio _ 2为宽禁带半导体,对太阳光的利用仅局限于...
• 宽禁带半导体材料    2.宽禁带半导体材料与器件。 氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。 用于蓝光LD和蓝、绿光LED和GaN、SiC等宽禁带半导体材料正在研发中。 宽禁带半导体材料（Eg大于或等于2.3ev）被称为第三代半导体材料。 主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件、新型半导体材料与器件。 近年来， zno作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。 自1993年至今，一直从事III...
• 窄禁带半导体    本文针对光催化技术应用中存在的tio _ 2光催化量子效率低，吸收利用太阳能光谱范围有限，催化剂回收困难等问题，通过窄禁带半导体cds ( e = 2 . 5ev )的复合，对纳米tio _ 2进行了改性研究，一方面，由于cds的窄禁带宽度可以扩展薄膜的光谱吸收范围，另一方面，由于能带的交叠，提高了光生电子和空穴的分离效率，从而提高了薄膜的光催化降解效率。
• 禁带宽度    例如，硅和锗的禁带宽度分别为1．1电子伏和0．65电子伏。 族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算 光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制 例如，硅和锗的禁带宽度分别为1 1电子伏和0 65电子伏。 Sns的光学直接带隙为1 . 3ev ,接近于太阳能电池材料的最佳禁带宽度1 . 5ev 。 本体硅为间接禁带半导体，且禁带宽度比较窄( 1 . 12ev ) ，在室温下很难发...
• 半导体丁基橡胶带    半导体丁基橡胶带
• 半导体带    半导体带电粒子探测器试验规程 半导体带电粒子检测器的试验程序 核仪表.半导体带电粒子探测器试验程序 核仪表.半导体带电粒子探测器.试验程序
• 直接带隙半导体    Zno是一种重要的宽禁带(常温下为3 . 37ev )低介电常数的直接带隙半导体材料。 采用光吸收法测得mn人d n 。 te 。晶体属于直接带隙半导体，其能隙eg随着组分互的增加线性增大。 在众多半导体纳米材料中， cds纳米粒子以其优良的性能引起了许多科学家的极大关注。 cds是典型的-族直接带隙半导体化合物，室温下其禁带宽度为2 . 42ev 。 Zno是一种宽禁带的...
• 间接带隙半导体    相反，Si、Ge是间接带隙半导体。 这样的半导体称为间接带隙半导体。 存在间接带隙半导体区。 这种束缚激子在由间接带隙半导体材料制造的发光器件中起主要作用。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。 当激发密度很高时,还可出现激子分子，而在间接带隙半导体内甚至观察到电子－空穴液滴。 单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度eg = 1 . 1e...
• 半峰半宽度    半峰半宽度
• 光谱半宽度    光谱半宽度
• 区域半宽度    半峰全宽亦称半宽度，半峰宽，半峰宽度，区域宽度，区域半宽度，它是色谱分析的术语，指色谱峰高一半处的峰宽度，即通过峰高的中点作平行于峰底的直线，此直线与峰两侧相交两点之间的距离。
• 半强度宽度    半强度宽度 搭载锗能谱仪和碘化铯成象器，探测器面积为2500平方厘米，能量分辨率在兆电子伏特处为500，角分辨率半强度宽度为17分，并配有同时在4-100千电子伏特记录X-射线和在5500-8500埃记录可见光象的仪器。
• 半值宽度    半值宽度 如图所示，曲线a代表放电管所发光波的频率轮廓，直线b的横坐标为中心频率，曲线a的半值宽度即放电管所发光波的频率宽度。
• 半功率波束宽度    半功率波束宽度 垂直面半功率波束宽度是指垂直面方向图的半功率波束宽度。 水平面半功率波束宽度是指水平面方向图的半功率波束宽度。 场强方向图中，在包含主瓣最大辐射方向的某一平面内，把相对最大辐射方向场强下降到0.707倍处的夹角也称为半功率波束宽度。 功率方向图中，在包含主瓣最大辐射方向的某一平面内，把相对最大辐射方向功率通量密度下降到一半处（或小于最大值3dB）的两点之间的...
• 半宽度    针对联合变换相关器，分析了对联合功率谱的调制和滤波技术，缩小了峰值半宽度、削弱了零级自相关的能量，改善了经典联合变换相关器识别性能。 通过对液晶施加一定的交流电压，可以很容易地实现发光波长的连续调谐，通过模拟计算表明这种器件的可调谐范围可以达到60nm ，半宽度为18 . 5nm 。 通过对比peck法计算值和实测值，验证现有的经验参数是否能很好地满足南京地区的实际情况，通...
• 半角宽度    显然，最小分辨角q0就是艾里斑的半角宽度j0。 半角宽度 那么中央亮纹的半角宽度Δθ=λ/b，正好等于其它亮纹的角宽度。 由于中央亮斑集中了大部分光能，所以它的半角宽度的大小可作为衍射效应强弱的量度。
• 半高宽度    脉冲的半高宽度 这种源产生的电脉冲的脉冲上升时间约为1ns脉冲半高宽度约2ns，脉冲幅值可达200V。 自猝灭流光管最突出的特点是能给出输出脉冲幅度大于20mV的快信号，脉冲前沿约为3～5ns，脉冲半高宽度约为50ns。
• 半峰宽度    半峰宽度 半峰全宽亦称半宽度，半峰宽，半峰宽度，区域宽度，区域半宽度，它是色谱分析的术语，指色谱峰高一半处的峰宽度，即通过峰高的中点作平行于峰底的直线，此直线与峰两侧相交两点之间的距离。
• 峰值半宽度    针对联合变换相关器，分析了对联合功率谱的调制和滤波技术，缩小了峰值半宽度、削弱了零级自相关的能量，改善了经典联合变换相关器识别性能。
• 峰半宽度    半峰半宽度
• 禁无可禁    其侦骑之密布，逻卒之四出，禁无可禁，防不胜防。
• 脉冲的半高宽度    脉冲的半高宽度
• 谱线半宽度    水汽和氧的吸收系数都是吸收谱线中心频率、谱线强度与谱线半宽度三个参数的函数。 并且，当采用较大的灯电流时，HCL所发射谱线半宽度变宽和谱线强度增高，此时检测器的负高压降低，吸光度读数稳定。
• 低频带宽度    鉴定认为，JCZ-1超宽频带地震计解决了超宽频带地震观测难题，在总体技术上达到国际先进水平并在高、低频带宽度等三方面达到国际领先水平，该仪器的研制成功是我国地震观测技术一项创性工作，它的推广应用将对我国地震学发展起重要作用。