刻蚀夷平面造句

• 刻蚀夷平面    定义：由较大范围刻蚀夷平面或多个刻蚀夷平面相连结而形成的平地。
• 古夷平面    根据古夷平面高差得出的垂向断距有1000~3000米。 在碧罗雪山分水岭上，尚残留有古夷平面，但面积不大，仅是零星分布。 东北部高，河谷宽平、土壤肥厚、古夷平面保存完整，为丘状高原地貌。 从地貌上说，南山被称为“桌面山”（即山顶呈现像桌面一样的古夷平面的山）。 而在4500m以上为古夷平面的残留，地势平坦开阔，多数为积雪期较长的荒漠灌丛占据。 西秦岭迭山在甘肃迭部扎尕那海拔...
• 夷平面    文章还进行了夷平面三维显示和分析的初步探讨。 夷平面的年龄就是夷平作用停止的年代，即夷平面开始破坏解体的年龄。 夷平面的测年是夷平面研究中非常重要的一个方面。 不同类型的夷平面有不同的形成过程，夷平作用的差异导致了夷平面类型的差异。 本文介绍了相过度法、年界法、相关沉积法和风化壳法等测定夷平面年龄的方法。 夷平面理论研究与初步模拟? ?中文摘要影响夷平面形成的主要因素有前期...
• 岩溶夷平面    抬升后的岩溶作用,可使岩溶夷平面支离破碎。 83.karst planation surface［岩溶夷平面］岩溶准平原经过抬升而成的地貌现象。 在岩溶夷平面分布的地方,当条件有利的情况下,有可能形成风化壳矿床。 在岩溶夷平面分布的地方，当条件有利的情况下，有可能形成风化壳矿床。 1998年，科研成果“青藏地区晚新生代以来岩溶夷平面与隆升过程研究”获教育部科技...
• 冰川刻蚀    系构造湖，经第四纪冰川刻蚀。 原是一构造凹地，后经冰川刻蚀而成。 这些干谷边坡陡峭，呈U字形，原由冰川刻蚀而成。 这些干谷边坡陡峭，呈“U”字形，原由冰川刻蚀而成。 这些干谷边坡陡峭，呈U字形，原由冰川刻蚀而成，冰川早已融化，是地球上最干燥的地方。 在第四纪冰川时期，冰川刻蚀山岩，形成随处可见的岩壁陡峭而底部宽阔的冰川谷；后经冰雪融水成湖。
• 刻蚀    刻蚀超越此值的后果应该是清楚的。 刻蚀工艺的分辨率是图形转移保真度的量度。 人们往往把风对地形所起的刻蚀作用估计过高。 世界各地海洋刻蚀现象主要是由海浪作用而形成的。 蒸发层和溅射层的选择刻蚀是保证成品的关键步骤。 当能刻蚀的材料不存在时，这些物种就具有较长的寿命。 通常，所有暴露在刻蚀剂中的材料都具有一定的刻蚀速率。 难熔金属和贵金属组合的这一层薄膜使刻蚀成为一个艰巨任务...
• 刻蚀剂    通常，所有暴露在刻蚀剂中的材料都具有一定的刻蚀速率。
• 刻蚀作用    人们往往把风对地形所起的刻蚀作用估计过高。 实验结果表明：随着工作气压的减小，薄膜的晶粒尺寸有所减小；通过提高氢气稀释度，利用原子氢在成膜过程中起的刻蚀作用，可以稳定结晶相并去除杂相；选择适当的热丝距离能保证反应气体充分分解，又使衬底具有较高的过冷度，是形成纳米薄膜的重要条件；采用分步碳化法可以提高形核密度，有利于获得高质量的纳米- sic薄膜；衬底施加负偏压可以明显提高衬...
• 刻蚀平原    依据夷平面形成后是否遭到后期构造变动将夷平面分为山地夷平面、原地夷平面和埋藏夷平面；依据夷平面的活动状态可分为活动面、休眠面、外来面和废止面；依据侵蚀基准面可分为海蚀-堆积夷平面、剥蚀夷平面、雪线夷平面和上部剥蚀夷平面；依据基底可分为稳定地带上的夷平面和活动地带上的夷平面；依据气候带可分为准平原、山麓面和联合山麓面、双层水平面和刻蚀平原、冻融山足面和冻融剥夷平原。
• 刻蚀技术    该刻蚀技术可用光刻胶（或SiO2膜）来掩蔽。 刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用 金刚石刻蚀技术研究 气体刻蚀技术充气的 第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。 干法刻蚀技术：制作金属微纳孔结构可以采用该方法。 运用激光刻蚀技术将持证人资料及相片刻写在个人资料页内 图案转移有两种主要方法，一是刻蚀技术，另一种是剥离技术。 利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的...
• 刻蚀环    更重要的是：此时靶面被刻蚀的状态比普通磁控溅射的要均匀得多，刻蚀深度值是从边缘到中间逐渐增大的，在靶面并没有出现通常的刻蚀环，因此这种磁控配置大大提高了靶的利用率。
• 刻蚀过程    在电化学刻蚀过程中，需增加循环装置。 本文阐述了微系统的发展过程，叙述了二元光学的研究现状和二元光学的成型过程，比较了几种不同的刻蚀过程方法。 在制作工艺的研究方面，首先研究了离子束刻蚀技术，通过对离子束刻蚀过程中各个参数对刻蚀元件的表面光洁度、轮廓保真度和线宽分辨的影响分析，结合掩膜的实际情况选择出了合适的离子束入射角、离子能量、束流密度和刻蚀时间等参数。
• 刻蚀法    第三部分，即论文的第五章，我们以632 . 8nln为激发波长研究了nilz 、 culz和pdl :三种新型金属有机化合物粉末的正常拉曼光谱，并且以脉冲激光刻蚀法制备了水银胶，以其为衬底研究了三种化合物溶液在其上的表面增强拉曼光谱，通过对其拉曼光谱进行了初步指认，了解由于中心原子的不同，三种金属有机化合物分子振动的相同和区别。 本文重点讨论了dds声光锁模器的设计及测试方...
• 刻蚀深度    模拟了量于线x射线衍射的二三维图，得到更为丰富的样品结构信息，例如周期，形状，刻蚀深度，应变等。 更重要的是：此时靶面被刻蚀的状态比普通磁控溅射的要均匀得多，刻蚀深度值是从边缘到中间逐渐增大的，在靶面并没有出现通常的刻蚀环，因此这种磁控配置大大提高了靶的利用率。 通过分析发现： 1 、在制作有一定特性的光栅时，光栅参数的选择原则为：周期的取值应尽量的大，刻蚀深度的取值应尽量...
• 刻蚀时间    在制作衍射光学元件以及半导体加工的刻蚀工艺中，刻蚀产生的表面面形随刻蚀时间的延长而产生动态的形变。 刻蚀时间、刻蚀液配比及衬底电阻率对pl发光强度、峰值波长等性质的影响。在此基础上优化出制备多孔硅的具体参数。对不掺sb与掺sb的snci 。 在制作工艺的研究方面，首先研究了离子束刻蚀技术，通过对离子束刻蚀过程中各个参数对刻蚀元件的表面光洁度、轮廓保真度和线宽分辨的影响分析，...
• 刻蚀系统    这些结论为设计icp刻蚀系统的反应室、选择合适的刻蚀工艺提供了科学的根据。 目前,场致发射阵列阴极的应用领域十分广泛,主要包括微波器件(应用于twts , klystron等) 、平板显示器( feds ) 、电子显微镜及电子束刻蚀系统等。其中,应用研究的焦点主要集中在平板显示器和射频功率放大器。 通过对探针诊断结果的分析，设计并制作一套icp刻蚀系统，重点研究icp耦合天...
• 刻蚀能力    耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 减弱光刻胶的强度（抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力）；降低针孔填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低与基底的黏附能力。
• 化学刻蚀    在电化学刻蚀过程中，需增加循环装置。 通过金属镓与氨气反应，在经化学刻蚀后的mgo单晶基片表面，以金作催化剂制备出规则排列的gan纳米棒阵列。 在三极电解槽中，进行了电化学深刻蚀的探索性实验。对氧化、光刻、湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究，同时，采用sem对实验样品进行了形貌分析，并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析。
• 反应离子刻蚀    用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽 反应腔拥有在rie (反应离子刻蚀)模式和等离子刻蚀模式下工作的能力。 以反应离子刻蚀( rie )设备的典型故障为例，建立故障树，通过求解最小实际故障来进行定性分析。 摘要采用微波电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀( ecr - rie )装置对牦牛毛纤维进行表面改性，从而改善牦牛毛的可纺性。 研究利用常规的硅集...
• 反应离子束刻蚀    1987年因1200条／毫米反应离子束刻蚀耀全息光栅获上海市科学技术进步三等奖。 层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。
• 各向异性刻蚀    光学和电子学的发展都基于微细加工的两个关键技术：亚微米光刻和各向异性刻蚀技术。 此外，化学各向异性刻蚀技术等也可以用于微型零件的加工和制造，但是其应用的范围有限。 MEMS由硅片采用光刻和各向异性刻蚀工艺制造而成，具有尺寸小、重量轻、成本低、可靠性高、抗振动冲击能力强以及易批量生产等优点。 （想象一下，如果有一面很旧的土墙，用足球用力踢过去，可能就会有墙面的碎片从中剥离）这...
• 工具钢棒的宏观刻蚀试验    工具钢棒的宏观刻蚀试验的标准推荐规程
• 干刻蚀    为了探索该种薄膜在干刻蚀工艺过程中用作掩膜的可能性，还研究了它在氧离子体中的刻蚀性能。
• 干法刻蚀    液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究 采用湿法腐蚀和干法刻蚀两种工艺分别制作出了全内反射型awg器件。 等离子体干法刻蚀在硅器件的微细加工中已经得到广泛应用，目前研究的焦点集中在化合物半导体。 在自制的icp干法刻蚀系统中用chclf _ 2等离子体对insb - in材料实现了干法刻蚀，通过对刻蚀样品的sem分析，观察到刻蚀后的侧壁光滑平整，有良好的各向异性。 提出采用紫外...
• 气体刻蚀技术充气的    气体刻蚀技术充气的