高压集成电路造句

• Soi高压横向耐压器件是高压集成电路的核心和关键,受到了国际上众多学者的关注。
• 高压集成电路hvic ( highvoltageintegratedcircuits )具有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点,在军事、航空航天及核能等领域有着不可替代的作用。
• Soi ( silicononinsulator )高压集成电路具有无闩锁、漏电流小、抗辐射、隔离性能好等优点,已成为功率集成电路( powerintegratedcircuit )的重要发展方向。
• 本文首先介绍了国内外功率集成电路的发展状况，然后介绍了高压集成电路中的几种终端技术、 resurf效应、器件模拟的基本理论和medici器件模拟软件，最后对三种型号的高压功率器件的击穿特性进行了分析和计算机模拟，指出了影响器件电压的关键的物理和结构参数，并对这三种型号的器件进行模拟，得出的电特性曲线和参数基本上与公司给出的一致。
• Soi高压集成电路根据顶层硅厚度可分为厚膜和薄膜两大类。为了满足一定的击穿电压,薄膜soi高压电路一般采用漂移区线性掺杂技术,但其工艺复杂,且自热效应严重;而厚膜soi高压集成电路可以通过移植体硅cmos技术来实现高压,但是由于其硅膜较厚,介质隔离成为厚膜soi高压集成电路的关键技术。
• 本文查阅了大量的有关高压集成电路技术、电子系统装联技术、电力电子器件、微电子技术、集成电路技术和交流异步电机变频调速技术等方面的文献，研制了三种具有代表性的交流异步电机变频调速，从技术上论证了小型交流电机变频调速系统集成化的可行性，对集成化过程中可能遇到几个主要问题提出了解决方法。

• 高压集成电路的英语：high voltage integrated circuit