集成电路制作工艺造句

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这种技术在大规模和超大规模集成电路制作工艺中起着越来越重要的作用。
以特征线宽130nm以下为重点，涉及集成电路制作工艺的各个方面，特别是包括短波长光源、步进与扫描照相曝光系统、CMP平坦化、双大马士革Cu布线、低-k介质材料、SoC与SiP等。
Parylene的真空气相沉积工艺不仅和微电子集成电路制作工艺相似，而且所制备的Parylene涂层介电常数也低，还能用微电子加工工艺进行刻蚀制图，进行再金属化，因此Parylene不仅可用作防护材料，而且也能作为结构层中的介电材料和掩膜材料使用，经Parylene涂敷过的集成电路芯片，其25um细直径连接线，连接强度可提高5-10倍。
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其他语种

集成电路制作工艺的英语：ic processing

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