隧穿电流造句

• 器件的直接隧穿电流经验公式
• 沟道热电子隧穿电流崩塌模型
• 在量子隧穿效应中，原子间距离与隧穿电流关系相应。
• 若微观粒子是电子，那么电子隧穿量子势垒即将产生隧穿电流。
• 利用衬底热电子注入技术，正电荷辅助隧穿电流可被大大的减弱。
• 但由于谐振下的隧穿电流密度较低等原因而一直未得到很好的应用。
• （de Broglie波）的波长差不多时，即可发生载流子的隧穿效应，从而产生隧穿电流。
• 3.隧道电流式：通过在活动部件上添加一个隧穿针尖和另一个电极之间通有隧穿电流。
• 目前，正在利用介电常数较大的材料来代替传统的sio _ 2作为栅介材料，来减少隧穿电流。
• 在器件上加一电压后便有隧穿电流产生．当电压正好使得入射电子的能量等于势阱中的量于能级时，谐振现象发生，隧穿电流出现极大值。
• 在实验上首次对6h sicmos结构的电特性及其辐照引起的电参数退化进行了研究，结果说明：在氧化层电场较高时是fowler nordheim隧穿电流决定着sicmos结构的漏电流。
• 通过移动着的探针与物质表面的相互作用，表面与针尖间的隧穿电流反馈出表面某个原子间电子的跃迁，由此可以确定出物质表面的单一原子及它们的排列状态。
• 在等效氧化层厚度相同的情况下，比较了几种不同的sio _ 2层厚度和la _ 2o _ 3层厚度结构的隧穿电流的大小，给出了sio _ 2层厚度和la _ 2o _ 3层厚度对隧穿电流的影响。
• 比较了wkb和精确解法计算栅介质隧穿电流的方法，精确解法在解决单sio _ 2层和wkb准经典近似有相同的结果，但是wkb不适合计算la _ 2o _ 3 / sio _ 2双层栅介层的隧穿电流，而精确解法能精确地计算双层栅介质隧穿电流。
• 如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上，就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N隧穿电流泄放电荷，当积累的电荷超过一定数量时，这种F-N电流会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。
• 1970年始他在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。