闩锁效应造句

• 闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。
• 这就是所谓的“闩锁效应”。
• 电路中的闩锁效应研究
• 可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。
• N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善肼的接触。
• 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。
• ESD和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。
• 少子环可以预先收集少子，减小横向三极管的β值，从而到达减小闩锁效应的目的。
• 但传统CMOS电路的工艺技术会产生与生俱来的闩锁效应(当然必须满足闩锁形成的三个条件)，从而限制了它的应用。
• 外太空辐射环境主要以三种方式影响cmos器件：总剂量辐射效应( tid ) ，单粒子翻转效应( seu )和单粒子闩锁效应( sel ) 。
• 闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。
• 在CMOS-IC芯片中，现在比较多地倾向于采用SOI衬底片，这主要是为了减弱或者避免闩锁效应，同时也可以抑制短沟道效应，这对于ULSI具有重要的意义。
• 当其中的晶闸管导通以后，整个IGBT的导通电阻虽然很低；但是这时晶闸管也就进入到锁定状态（闩锁效应），其栅极就失去了关断源-漏电流的能力。
• 采用这种结构与ig工艺相结合，能够大大地提高动态存储器dram的记忆保持时间，是解决电路中闩锁效应( latch - up )和粒子引起的软失效( soft - error )的最佳途径。
• 通过与体硅bjmosfet比较，讨论和分析了soibjmosfet的优点：无闩锁效应、抗软失效能力强、寄生电容大大降低、热载流子效应减弱、减弱了短沟道效应、工艺简单等。
• CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
• 防止电感元件的反向感应电动势或电网噪声窜入CMOS电路，引起CMOS电路瞬时击穿而触发闩锁效应.因此在电源线较长的地方,要注意电源退耦，此外还要注意对电火花箝位。
• coms工艺中普遍采用n / n ~ + 、 p / p ~ +的外延结构，这种以重掺杂硅片为衬底的外延结构与内吸杂工艺相结合，是解决集成电路中的闩锁效应和粒子引起的软失效的有效途径。
• 在本文设计中，采用双环保护结构，大大的降低了cmos集成电路对单粒子闩锁效应的敏感性；对nmos管采用环型栅结构代替传统的双边器件结构，消除了辐射感生边缘寄生晶体管漏电效应；采用附加晶体管的冗余锁存结构，减轻了单粒子翻转效应的影响。