超高真空造句

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装置低温超导段超高真空系统
超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源
超高真空法兰用铜密封垫
超高真空法兰尺寸
超高真空法兰结构型式
超高真空蒸发
超高真空法兰
A )利用超高真空化学气相沉积( uhv - cvd )技术在重掺si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。
首次采用超高真空电子束蒸发的方法在多孔硅上成功地外延出晶体质量和电学性能良好的单晶硅。
高真空中的驱动,超高真空中的材料合成及其他相关技术等广泛领域有信心为您提供一流的设备和服务。
用超高真空造句挺难的，這是一个万能造句的方法
最后，还利用eels和aes研究了超高真空下不同温度( 373k 、 473k 、 573k和673k )时铀、铌及铀铌合金的初始氧化过程。
他们小心翼翼地以独门秘方清洁超高真空中的元件，制造出世界上最佳的真空，使原子云不会受室温气体（例如我们身边的空气）的猛烈撞击。
在jgp560c型超高真空多功能磁控溅射镀膜机上，采用直流磁控溅射法在cdznte晶体上制备出cu ag合金薄膜，揭示了气体流量、直流溅射功率、励磁电源功率、工作气压和衬底温度等工艺参数对沉积速率的影响规律。结果表明溅射功率对沉积速率的影响最大，随溅射功率的增大沉积速率快速增大。
按照改进的工艺参数，在单晶硅衬底上溅射-淀积了tini薄膜，并进行了超高真空退火， dsc法测得其马氏体逆相变峰值温度为72 ，利用能谱分析( eds )技术测得其ti含量约为51at ，通过对非晶tini薄膜与单晶硅衬底之间的界面进行eds及x射线衍射( xrd )分析，发现在用大功率( 2000w )直流磁控溅射法制备tini薄膜过程中，存在ti 、 ni与si的双向扩散，发生了界面反应，并有三元化合物ni _ 3ti _ 2si生成。
利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积( uhv - cvd )技术外延了亚微米级的si薄膜，成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件。
Sige薄膜生长方面：在熟悉各种薄膜外延技术的基础上，采用了近年来发展较为成熟的固态源分子束外延( ssmbe ) 、气-固态源分子束外延( gsmbe ) 、超高真空化学气相淀积( uhvcvd )三种sige薄膜外延技术，在硅( 100 )衬底上外延生长了sige薄膜。
本文在全面总结目前太阳电池材料的研究现状和其未来发展趋势的基础上,系统地从理论和实验两方面对应用在太阳电池板上的si基薄膜材料的结构进行了设计,用超高真空磁控溅射仪研究了其制备工艺,用了xrd 、 sem 、 afm 、 tem 、 raman 、 ftir 、 uv - vis 、 pl和椭圆偏光仪( se )等分析手段研究了薄膜的相结构、微观组织特征和其所具有的光性能。