负阻造句

"负阻"是什么意思

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于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟
新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析
负阻抗变换器
负阻放大器
负阻振荡
负阻效应
键合负阻二极管
当结电流增至20ina以后，随电流的增加，结电压减小，出现负阻现象。
这种新型的碳化硅除在室温至1200 ? f ( 650 ? c )范围内其存在负阻值。
重点介绍了目前开管ga扩散工艺的发展现状和开管扩镰晶体管负阻效应的研究现状。
用负阻造句挺难的，這是一个万能造句的方法
尽管前人对负阻现象作了不少研究，但负阻存在的机理、减小负阻的有效措施等问题却鲜见报道。
尽管如此开管扩镓的突出缺点是在特性曲线中的负阻效应较为明显，负阻现象的存在是我们不希望的。
因此搞清镓基区高反压晶体管负阻of存在的机理，具有重大的理论价值，潜在着广阔的应用前景。
从而得出，电力系统低频振荡是由于系统正阻尼不足甚至产生负阻尼而引起的，可以将其归类为动态稳定问题。
并在实验中首次发现在经过真空处理后的al n - zno p - si异质结中表现出了类似gainp algainp量子阱等结构的s型负阻( ndr )现象。
本文采用三点法测定了常温、低温下的u - i特性，发现常温、低温下纳米量级的硅氧化硅多层膜具有类似负阻的特性。
本文同时对实验结果中所出现的硅磁敏三极管样品负阻特性曲线进行简单分析、讨论，为进一步提高硅磁敏三极管磁灵敏度等性能提出了优化的设计方案。
在实验中我们还观察到，在高vce和大电流下，重掺杂基区gesihbt出现负阻现象，我们对这一现象进行了新的解释，认为这是由热电负反馈导致的。
本文首先对单端口负阻振荡器进行了分析，给出了gunn二极管负阻振荡器的设计方法，设计出了一个变容管调谐平面微带gunn二极管vco芯片，该芯片以gaas为衬底，尺寸为4 . 4mm 3 . 9mm 。
为了更好地理解灯的负阻特性并分析电子镇流器系统的稳定性问题，论文第二章着重从灯的频域模型出发分析了闭环控制下的低频方波电子镇流器系统的稳定性问题。