负栅压造句

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IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。
NBTI效应是指在高温下对PMOSFET施加负栅压而引起的一系列电学参数的退化（一般应力条件为125℃恒温下栅氧电场，源、漏极和衬底接地）。
在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。
传统的R-D模型将NBTI产生的原因归结于pMOS管在高温负栅压下反型层的空穴受到热激发，遂穿到硅/二氧化硅界面，由于在界面存在大量的Si-H键，热激发的空穴与Si-H键作用生成H原子，从而在界面留下悬挂键，而由于H原子的不稳定性，两个H原子就会结合，以氢气分子的形式释放，远离界面向/栅界面扩散，从而引起阈值电压的负向漂移。
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其他语种

负栅压的英语：minus gate voltage
负栅压的日语：マイナスゲートでんあつマイナスゲート電圧

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