离子轰击造句

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结晶体由氩离子轰击而净化。
离子轰击二次电子象
11合金离子轰击改性层的耐磨性
矽晶圆用离子轰击，而在其上形成微小的岛，各自具有过量或是不足的电子。
具有高压离子轰击功能，净化晶片表面，强化镀银的附着力。
但含钪扩散阴极存在发射均匀性不好、抗离子轰击性差以及价格昂贵等因素的制约而没有获得广泛的应用。
循环氩离子轰击镀方法可促进使膜-基界面原子间的扩散或键合，有利于提高膜-基结合强度。
摘要从理论上研究了负衬底偏压增强离子轰击对金刚石核化的影响，并用理论解释了一些实验现象。
第二章和第三章分别从引入离子轰击和施加直流偏压电场两方面着重研究了外界条件作为辅助手段对非晶碳生长的影响。
探讨了金刚石的核化机制和纳米金刚石的形成机制，认为沉积过程中的持续的离子轰击是ch _ 4和h _ 2体系制备纳米金刚石薄膜的关键。
用离子轰击造句挺难的，這是一个万能造句的方法
C ）偏压或离子轰击对取向有重要影响，低偏压有利于形成基面对衬底平行的取向，而在高偏压下，薄膜表现为c轴平行衬底的取向。
实验结果表明：随着工作气压的减小，薄膜的晶粒尺寸有所减小；通过提高氢气稀释度，利用原子氢在成膜过程中起的刻蚀作用，可以稳定结晶相并去除杂相；选择适当的热丝距离能保证反应气体充分分解，又使衬底具有较高的过冷度，是形成纳米薄膜的重要条件；采用分步碳化法可以提高形核密度，有利于获得高质量的纳米- sic薄膜；衬底施加负偏压可以明显提高衬底表面的基团的活性，因负偏压产生的离子轰击还能造成高的表面缺陷密度，形成更多的形核位置。
利用离子束增强沉积设备，在ar ~ +离子束对v _ 2o _ 5靶溅射沉积的同时，用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量的离子束轰击，使得被氩离子轰击后断键的氧化钒分子，再被注入氢降价，然后经适当的退火，成功地制备了热电阻温度系数高达4的vo _ 2薄膜(国外报道值为2 - 3 ) ，并研制了单元悬空结构探测器和8 1 ， 16 1线性阵列。