禁带造句

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例如，硅和锗的禁带宽度分别为1．1电子伏和0．65电子伏。
在一定频率还存在禁带。
氧化锌是一种多用途的宽禁带半导体材料。
禁带区域内负的群速度
氧化锌是一种-族宽禁带氧化物半导体材料。
设计出了具有完全光子禁带的pmc结构。
二维光子晶体结构和缺陷对光子禁带的影响
宽禁带半导体
宽禁带发射极
族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算
用禁带造句挺难的，這是一个万能造句的方法
一维光子晶体的基本周期结构及其禁带特征
光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制
一维和二维系统中电子禁带与光子禁带的数学等价特性
近年来， zno作为宽禁带半导体材料的研究越来越受到人们的重视。
异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变
例如，硅和锗的禁带宽度分别为1 1电子伏和0 65电子伏。
Sns的光学直接带隙为1 . 3ev ,接近于太阳能电池材料的最佳禁带宽度1 . 5ev 。
Zno是一种重要的宽禁带(常温下为3 . 37ev )低介电常数的直接带隙半导体材料。
计算表明：在一定条件下，禁带中出现了非寻常的态密度。
本体硅为间接禁带半导体，且禁带宽度比较窄( 1 . 12ev ) ，在室温下很难发可见光。

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其他语种

禁带的英语：forbidden band; forbidden zone; stopband
禁带的日语：きんせいたいフォービドンバンド

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