畴壁造句

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铁磁系统中介观畴壁的双波描述及量子涨落
在这个临界面内场范围内，畴壁中的vbl是逐渐丢失的。
本文还分析了锰锌铁氧体自然共振、磁滞损耗和畴壁共振等磁极化机制衰减吸收电磁波的各种机理。
我们发现静态周期瞬子正是铁磁膜中的畴壁，用相应的瞬子理论讨论了畴壁的稳定性。
答案:磁场指示器的峰值主要由于，从畴壁位移到磁化旋转中，不同的主导/显性磁化过程的圆周各向相异磁场的作用（造成的）。
另外，为了更加准确地测定ohb畴壁中的vbl软化的临界面内场范围，本文对经过筛选的ohb在h _ ( ip )作用下其畴壁中vbl的消失规律给予了研究。
本文首先建立了sm ( co , cu , fe , zr ) z薄膜畴壁钉扎的二维微磁学模型,研究了胞壁相的厚度和磁晶各向异性常数对畴壁钉扎的影响。
此外，硬磁畴畴壁中vbl的分布问题至今仍然没有得到很好的解决，也就是说vbl究竟是充满整个拉长的畴壁还是部分地占据呢？
单晶材料消除了晶界对畴壁移动的影响，具有很好的低场下的位移输出能力，这为微位移致动器的研制奠定了很好的基础。
计算结果表明,随着胞壁相厚度的增加,薄膜的钉扎场先增加后降低,这说明胞壁相厚度与畴壁宽度相当时才会获得较大的钉扎。
用畴壁造句挺难的，這是一个万能造句的方法
应用磁畴转动模型和畴壁位移模型计算了terfenol - d的磁致伸缩，计算结果表明在低磁场下，应用畴壁位移模型得到的计算结果与实验结果符合较好。
所以在本文中用比较准确的实验方法测得了ohb畴壁中的vbl在面内场的作用下，存在一个与材料参量相关的临界面内范围h罗， h永] ，并且也证明了在临界面内场h罗’时丢失vbl的ohb对应的是那些含vbl较少的ohbo
同时根据能量最小原理，从理论上分析了磁畴结构存在的微观机理以及影响磁畴结构运动、变化的主要因素，得出了应力的存在将影响磁畴的形状、大小和搭配方式等结论。从铁磁晶体的微观机理出发，研究了应力对磁畴和磁畴壁的影响，发现应力影响磁畴结构的本质是由于应力的作用使得铁磁晶体增加了应力能和磁弹性能，体系为了达到新的平衡，导致了磁畴结构变化，并研究了应力与铁磁晶体磁特性之间的基本规律。
随着产生枝状畴时的直流偏场的增加，枝状畴在r _ ( iid ) = 0时所对应的面内场值是逐渐减小的，证明了枝状畴畴壁中的vbl是随几分布的，也从另外一个角度证明了在面内场作用下vbl的消失存在一个最易方向。
由于其转化过程中vbl没有丢失，也就是说，其畴壁结构没有发生变化，所以我们再次证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的，在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为，完全是由于vbl的数目引起的。
’在很宽的直流偏场范围内保持不变这个实验事实出发，我们认为vbl并没有受到直流偏场的压缩，也就是说，当直流偏场小于条泡转变场时， id畴壁中的vbl是部分分布而不是占据整个畴壁。
利用sndm ,从纯电学的角度观察了plct薄膜中的电畴动态反转过程,由电畴横向扩张的移动速度的降低,发现了晶界在电畴反转过程中对畴壁移动的阻挡作用;根据sndm和pfm的在垂直方向上的不同信息敏感深度,得到plct薄膜中电畴反转过程中电畴是楔形畴;用pfm观察同一电畴在去掉外加反转电场后电畴的极化弛豫现象,结果表明空间电荷是发生极化弛豫的主要原因。
? ?建立了以电畴翻转时的体积分数增量为中心的，基于铁电畴壁运动特性的剩余应变及电位移的增量形式的演化方程，在其中包含有材料参数、畴壁运动、电畴形式、电畴体积分数及基体与夹杂、夹杂与夹杂等相互间能量作用等影响因素。
研究结果表明，由于杂质fe的掺入降低了smco薄膜的磁性能；制备态smco薄膜为非晶态结构，矫顽力hc随着薄膜厚度的增加而减小，剩磁比mr ms随膜厚增加而增加；经过500真空退火热处理后，薄膜出现smcos的结晶物，矫顽力hc降低， mr ms减小，磁化机制由畴壁钉扎类模型转为形核类模型。
常规的磁致伸缩型微位移致动器大多采用多晶或具有孪晶结构的磁致伸缩材料作为驱动单元，由于晶界和孪晶界对畴壁的移动具有阻碍作用，其低场下的位移输出较小，调控精度受到很大影响。