电子束蒸发造句

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温度条件对反应电子束蒸发制备tio
本文用电子束蒸发的方法在k9玻璃上制备了azo薄膜。
采用电子束蒸发的方法在k9光学玻璃上得到了光学性能良好的光学薄膜。
采用电子束蒸发的方法在si衬底上生长zno薄膜，通过退火实验，得到了最佳的退火条件。
本文采用电子束蒸发方法在石英衬底上制备出质量较好的al掺杂的zno薄膜材料。
首次采用超高真空电子束蒸发的方法在多孔硅上成功地外延出晶体质量和电学性能良好的单晶硅。
实验结果表明利用电子束蒸发技术制备的zno ： al薄膜材料，具有较好的结构及光电特性。
本论文利用电子束蒸发方法制备氧化钨、氧化镍薄膜的基础上，研究了热处理工艺对于薄膜电致变色性能的影响。
通过极差法确定了在电子束蒸发制备条件下得到的最佳光电性能的azo薄膜的工艺条件是：基片温度在250左右、沉积速率不大于10a s 。
同时发现这种薄膜可通过高能量电子束蒸发的方法成功制备pbo单晶纳米线，这种方法可望被应用于其他氧化物单晶纳米线的制备。另外， mcnt的掺杂使pt薄膜结晶温度下降。
用电子束蒸发造句挺难的，這是一个万能造句的方法
本文介绍了采用电子束蒸发方法在si衬底表面上制备出了具有c轴择优取向的高质量氧化锌薄膜材料，另外，还采用共蒸发(通过电子束蒸发与热蒸发同时进行)及后退火的简单方法制备出包埋到介电物质mgo薄膜中的zno量子点材料。
随着薄膜科学与技术的发展，各种薄膜制备方法得到了迅速发展，传统的所谓镀膜，已从单一的真空蒸发发展到包括蒸镀、离子镀、溅射镀膜、化学气相沉积( cvd ) 、 pecvd 、 mocvd 、分子束外延( mbe ) 、液相生长、微波法及微波电子共旋( mwecr )等在内的成膜技术。其中电子束蒸发技术是一种常用的薄膜制备技术，它具有成膜质量高，速率可控性好，通用性强等优点。
实验结果表明利用电子束蒸发技术制备的zno薄膜材料，在经过氧气气氛下的二次退火处理后，能够表现出较好的发光和结构特性；以mgo薄膜作为缓冲层制备出了高质量的mgzno合金薄膜材料，这为开展mgzno合金薄膜材料的研究开辟了新的途径。
文摘:本文研究了电子束蒸发镀铝-铬合金涂层的制备工艺，通过讨论不同的电压、束流对膜层外观、结合力、内应力的影响，确定了合适的陈镀工艺,对涂层和膜料的成分进行了分析，表明涂层中铬含量与膜料中铬含量有较大差异,最后探讨了不同含铬量的涂层的耐蚀性。
本文介绍了采用电子束蒸发方法在si补底上制备出了高纯度的金属锌膜，然后通过二次退火得到了具有六角结构的高质量氧化锌多晶薄膜材料，另外，还采用电子束蒸发mgo薄膜作为缓冲层二次退火金属锌膜的方法制备出了高质量氧化锌多晶薄膜材料和mgzno合金薄膜材料。
实验结果表明利用电子束蒸发技术制备的zno薄膜材料，在经过氧气气氛下的退火处理后，能够表现出较好的发光和结构特性；用共蒸发与后退火相结合的方法能够制备出包埋在mgo介电基质中的zno量子点材料，这为开展低维半导体的研究开辟了新的途径。