漏电压造句

造句与例句手机版

补口处应用火花检漏仪逐个进行针孔检查．检漏电压15Kv。
这种液晶显示屏的分辨率取决于非晶硅薄膜场效应管的漏电压和液晶的光电特性，据推算可达1000线。
漏压越高,越大,亦即SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。
2现场施工简化为涂胶、缠带两道工序，防腐层厚度1mm、电火花检漏电压5kv，满足建设部、中石化、中石油相应行业标准要求。
、形成一股很大的电流；此电流的大小将受到空间电荷的限制，是所谓空间电荷限制电流（与源漏电压的平方成正比，与沟道长度的立方成反比）。
在不考虑沟道长度调制效应时,则输出电流与源-漏电压无关,即输出电流饱和;但是此饱和的输出电流要受到栅极电压控制(饱和时的栅极跨导最大)。
在Vgs大于Vt、产生出沟道的情况下，沟道也是在漏极一端被夹断了的，MOSFET处于饱和状态，通过的电流IDS与栅-源电压的平方（Vgs）成正比，而与源-漏电压基本无关（即电流饱和）。
肖特基势垒MOSFET的缺点：为了提高源-漏电压,对半导体表面处理的工艺要求较高；对Si-MOSFET而言,一般只能作成p-沟MOSFET，因为电极材料常用的是PtSi,它与p-型Si的Schottky势垒高度只有0.25eV,与n-型Si的Schottky势垒高度有0.85eV。
，则有Vgs=Vds，于是MOSFET将始终处于饱和状态（沟道夹断的状态）；这时，若减小源-漏电流Ids，那么，栅-源电压Vgs和源-漏电压Vds也都将同时相应地降低，当源-漏电流减小到0时，则Vgs和Vds必都将同时降低到阈值电压Vt。
（基区宽度为沟道长度）；而栅-源电压的作用，使得半导体表面发生弱反型（产生表面势ys），即导致衬底表面附近处的电子能量降低；而源-漏电压又在p型区表面附近处产生电子的漂移电场，即导致源-漏之间的能带倾斜。
用漏电压造句挺难的，這是一个万能造句的方法
对于增强型n-FET，在栅电压为0时不存在沟道，只有正的栅极电压大于阈值电压Vt时才出现沟道(故这时的阈值电压也称为“开启电压”)；当“源漏电压Vds≥栅源电压Vgs减去开启电压Vt”时，沟道即在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和工作状态。
对于耗尽型的JFET，在平衡时(不加电压)时，沟道电阻最小；电压Vds和Vgs都可改变栅p-n结势垒的宽度，并因此改变沟道的长度和厚度（栅极电压使沟道厚度均匀变化，源漏电压使沟道厚度不均匀变化），使沟道电阻变化，从而导致Ids变化，以实现对输入信号的放大。
对于硅/蓝宝石（SOS）隔离、或者硅/绝缘体（SOI）隔离的MOSFET，还有另外一个原因，就是其上的外延硅没有接地，即电位浮空性；当漏极的反偏pn结流过电流时，会使硅外延层的电位提高，从而增加了沟道电导，故随着漏电压的增大，漏电流也增大，形成非饱和特性。
器件工作的常态为截止状态(无沟道)，当源-漏电压Vds足够大(如-30V)时,漏结将发生雪崩倍增效应而产生出大量的电子-空穴对；其中空穴进入衬底,而部分高能电子可越过势垒注入浮栅；当浮栅所带的负电荷足够多时,即使得半导体表面反型而形成沟道,从而使MOS器件导通。
对于耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断），这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，也就是耗尽型FET的阈值电压，当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道即在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和导通状态，输出电流最大、并饱和，同时跨导也最高??放大工作区。