漂移电流造句

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所构成的电流为漂移电流。
为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。
扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。
相对来说，非平衡载流子受电场作用而产生的漂移电流却往往较小。
与之相对的有漂移运动，少子向对方漂移,称漂移运动漂移运动产生漂移电流。
实际的元件虽然处于反向偏压状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。
此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。
漂移电流（driftcurrent）在没有电场作用时，半导体中载流子在运动中不时遭到散射作杂乱无章的热运动，并不形成电流。
当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
用漂移电流造句挺难的，這是一个万能造句的方法
属于第一类假说的还有漂移电流假说、热力效应假说和霍尔效应假说等，但这些假说都不能全面地解释地磁场的奇异特性。
此外还有旋转电荷假说、漂移电流假说、热电效应假说、霍耳效应假说和重物旋转磁矩假说等等，这些假说更是不能自圆其说。
），这时，当空间电荷区宽度为L、外加电压V时，可以求得漂移电流与电压的平方成正比（莫特-格尼定律）：J=qεsμV2/(8L3)。
在空间电荷效应下，若是电子注入，则空间电荷密度ρ=qn（电子浓度为n），相应的漂移电流密度J决定于空间电荷（设电子漂移速度为v）：J=qnv。
进而，在速度饱和的弹道输运情况下，可求得漂移电流与电压的二分之三次方成正比（采尔德-朗缪尔定律）：J=(4εs/9L)(2q/m*)1/2 V3/2。
加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN结截止。
对漂移晶体管，其基区的电子电流既有扩散电流,也有漂移电流，在基区掺杂浓度是指数分布的情况下（表面浓度小，里面浓度大），在基区中可得到恒定的漂移电场。
当能量≥禁带宽度的光照射到光电二极管上时，即可把半导体满带中的一些电子激发到导带、产生电子-空穴对；然后电子和空穴在势垒区中电场的作用下分别往p-n结两边输运，并形成所谓光生电流（等于势垒区内产生的载流子的漂移电流，再加上势垒区外产生的载流子的扩散电流）。
在空间电荷效应起作用的情况下，通过空间电荷区的电流也就以载流子的漂移电流为主，而决定此漂移电流的电场又主要是由载流子电荷所产生的，所以，这时的载流子电荷、电场和电流，它们之间是相互制约着的；即通过空间电荷区的载流子漂移电流要受到相应空间电荷的限制，因此称这时的电流为空间电荷限制电流。