棱位错造句

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半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度棱位错。
由于棱位错周围存在有张应变和压应变,则棱位错能带将发生禁带宽度的变窄和变宽。
②由于棱位错周围存在有张应变和压应变,则棱位错将使得能带发生禁带宽度的变窄和变宽，即产生形变势。
位错有两种基本类型：位错线与滑移方向垂直，称刃位错，也称棱位错；位错线与滑移方向平行，则称螺旋位错。
尺寸在10-6-10-8m的小晶块，彼此间以几秒到的微小（）角度倾斜相交，形成镶嵌结构，有人认为是棱位错，由于晶粒以微小角度相交，可以认为合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位错。
用棱位错造句挺难的，這是一个万能造句的方法

其他语种

棱位错的英语：edge dislocations

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