核密度造句

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借助核密度和势的自洽振荡我们便得到振动模式的描述。
核密度估计的中偏差
把新的地核密度输入
每组十五个病人，核密度等级为3 。
方法采用非参数核密度估计推断方法。
为提高金刚石成核密度分别采用以下三种不同的基片处理方法。
因此，高的形核密度与低的衬底温度是促进纳米- sic薄膜生长的关键因素。
当然，用金刚石粉进行超声研磨以提高金刚石武汉理工大学硕士学位论文成核密度也是需要的。
对于如下含参数模型综合利用m . west的核密度光滑理论和序列imputation算法，使模型预测的问题得到了解决。
而传统的基于主元分析的系统性能监控方法都是假定测量数据相互独立且服从正态分布的，采用核密度估计方法无需对数据的分布作任何假定。
用核密度造句挺难的，這是一个万能造句的方法
经过对比采用方案基片处理方式，基片和等离子球处于相切位置时，在微波输入功率700w和反应气压1000pa时沉积工艺参数时，基片成核密度较高。
大量实验结果表明通过适当的预处理能有效消除或抑制基体中钴黏结相的负面影响，提高金刚石的形核密度以及膜基结合力，从而获得理想的薄膜质量。
其原因是在沉积过程中，基体中所含的钴会引起碳的溶解和扩散，从而导致金刚石成核密度的降低和石墨的形成。
文中最后一部分，从风险价值预测的角度出发，建立了基于var预测的概念和模型，提出了一种适合估计金融时间序列分布的核密度函数，并采用加权法推广了时间序列核密度估计模型
本论文简要叙述了金刚石薄膜的研制进展和应用，介绍了用化学气相沉积法( hotfilamentchemicalvapordeposition )在不同的衬底上的金刚石薄膜的制备方法和形核，并对si 、 ni 、 cu三种不同的衬底的金刚石膜研究了如何增大形核密度、提高形核质量。
为使理论计算变得可行，我们在核芯和靶核密度采用多个高斯分布拟合的情况下，解析求解了各个散射矩阵元中的光学相移函数及交叉项含有的与晕核核芯、靶核密度分布有关的积分;同时对与碰撞参数和晕核子坐标有关的积分(八重以上，并且积分维数随晕核子数很快增加)采用蒙特卡洛方法计算。
实验结果表明：随着工作气压的减小，薄膜的晶粒尺寸有所减小；通过提高氢气稀释度，利用原子氢在成膜过程中起的刻蚀作用，可以稳定结晶相并去除杂相；选择适当的热丝距离能保证反应气体充分分解，又使衬底具有较高的过冷度，是形成纳米薄膜的重要条件；采用分步碳化法可以提高形核密度，有利于获得高质量的纳米- sic薄膜；衬底施加负偏压可以明显提高衬底表面的基团的活性，因负偏压产生的离子轰击还能造成高的表面缺陷密度，形成更多的形核位置。
随着施镀时间的延长，纳米晶聚晶体在横向二维生长的同时，在纳米晶聚晶体的表面上也进行着三维方向的新的一层聚晶体的生长；在调质态45钢表面，由于其具有比较高的晶界和缺陷密度，因此在沉积初期，纳米晶聚晶体的成核密度也较大，从而在二维方向聚晶体的尺度较小，镀层沉积初期表现为致密细小的鳞片状组织。
由于连续生产方式和间歇生产方式是流程工业中两种重要的生产方式，它们具有各自不同的特点，因此，本文的工作分两大部分，即连续工业过程的监控和间歇工业过程的监控，具体包括： ( 1 )采用多变量核密度估计方法，研究了参数不确定条件下，过程数据的分布及其对系统监控性能的影响。
现在国内外的制备方法是为了能够在石英玻璃上生长出金刚石薄膜来，一般都是用某些含碳元素( c _ ( 60 )或c _ ( 70 )等)在成核期间通过蒸镀的方法来形成一层过渡层来达到促进金刚石生长的目的，因此如何有效的增强形核密度对于金刚石薄膜在石英玻璃上生长是十分重要的。