本征激发造句

• 本征激发还有其它一些形式。
• 。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。
• 少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。
• 光生载流子是由深能级杂质中心激发的，称为非本征激发。
• 这是一种热学本征激发，所需要的平均能量就是禁带宽度。
• 。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。
• 半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子，激发出非平衡电子－空穴对(称为本征激发)。
• 由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在N型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
• 由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
• 因此，禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。
• 对于掺有杂质的n型或p型半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。
• 实际上，这种产生电子-空穴对的电离（本征激发）过程，也往往是高能电子和高能离子在半导体中损失能量、产生辐照损伤的重要机理。
• 空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的（即留下的价键空位）；这种跃迁就称为本征激发，其特点是电子与空穴成对地产生。

• 本征激发的英语：intrinsic excitation
• 本征激发的日语：こゆうれいき