最高振荡频率造句

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fmax---最高振荡频率。
最高振荡频率为12M。
最高振荡频率
最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
这种高性能半导体最高振荡频率为2 24千兆赫，居世界之首。
（2）对于JFET，最高振荡频率fm是输入和输出均共轭匹配、共源增益为1时的频率,即最大单向功率增益=1时的振荡频率。
它的最高振荡频率可达300吉赫，输出功率大于电子转移器件振荡器，但因存在雪崩过程而调频调幅噪声大于其他固态振荡源。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
（1）对于双极型晶体管，随着频率f的提高,功率增益Gp将要下降；最高振荡频率fm就是Gp下降到1(即输出功率=输入功率)时的工作频率，它代表了晶体管具有放大能力的极限。
微波固态振荡源体积小、重量轻、结构简单、寿命长，工作电压仅为几伏至几十伏，而且便于集成化，但输出功率小（单管输出功率从毫瓦级到几十瓦），已经达到的最高振荡频率低于微波管振荡源的频率。
用最高振荡频率造句挺难的，這是一个万能造句的方法
HBT具有以下优点：①基区可以高掺杂(可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小(则不限制器件尺寸的缩小)；②因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；③基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；④基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；⑤发射区可以低掺杂(如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；⑥可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有内建电场，从而载流子渡越基区的时间τB得以减短。
主要学术成就如下：研究出晶体管放大器的新参量??极增频率（Extreme Gain Frequency），研究出多级直耦电路静态设计理想稳定公式，研究出反馈对电路与补偿式电路静态最佳稳定条件，研究出基本放大电路功比和恒定律，研究出分析与设计放大器的新参量??本征匹配参数（Intrinsic Match coefficient），解决了高于最高振荡频率与特征频率仍可产生自激振荡的理论问题，研究出放大电路热稳设计实用公式，研究出陶瓷鉴频器设计公式，在《Journal of Electrnics》、《电子科学学刊》、《电子技术》、《电子工程师》与《电工教学学报》（现《电气电子教学学报》）等学报，期刊发表学术论文多篇，编著《高频电路基础》（机械工业出版社1992）与《电子技术原理》（机械工业出版社，1998）。