替代式杂质造句

• Ⅰ族元素，在GaP中作为替代式杂质，情况与GaAs中的相同。
• ⑤Ⅲ族元素：其中的In和Tl在Si中都是替代式杂质，但都形成深的受主能级（In的为0.16eV，Tl的为0.26eV）。
• Ⅰ族元素：作为替代式杂质，一般是产生受主能级，多为深能级，也有浅能级；间隙杂质Li产生较浅的受主能级；间隙杂质Cu将产生施主能级。
• ③Ⅵ族元素：在Ge中，S、Se、Te都是替代式杂质，各形成2个施主能级；在Si中，S是替代式杂质（形成3个施主能级），Te是替代式杂质（形成2个施主能级），Se和O的能级情况尚不清楚。
• ②Ⅱ族元素：在Ge中，Zn、Cd、Hg、Be都是替代式杂质（各形成2个受主能级）；在Si中，Zn、Cd、Mg都是替代式杂质（各形成2个受主能级），Be也是替代式杂质（形成一个受主能级），Hg还形成2个施主能级。
• ④过渡金属元素：在Ge中，Mn、Fe、Co、Ni都是替代式杂质，各形成2个受主能级，Co还形成一个施主能级；在Si中，Mn、Fe都是替代式杂质（形成施主能级），Co、Ni也都是替代式杂质（各形成2个受主能级）。

• 替代式杂质的英语：substitutional impurity