族半导体造句

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族半导体纳米材料的制备与尺寸控制
族半导体纳米粒子合成的进展
族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用
氧化锌( zno )是一种具有六方结构的的宽禁带-族半导体材料，室温下能带带隙eg为3 . 37ev 。
六角纤锌矿结构的氧化锌是一种重要的宽带隙-族半导体材料，室温下带隙为3 . 37ev 。
目前cd唱盘里的雷射，以及电讯开关里的光侦测器之类的光学晶片，是以第iii族与第v族半导体制成的。
宽带?族半导体材料如zns 、 znse因其优异的光电特性成为蓝绿半导体发光和激光光电子器件的重要候选材料。
本论文所研究的dms材料便是由磁性过渡族金属离子mn ~ +掺入-族半导体化合物gaas中而形成的一类新的半导体材料。
Znse作为最重要的宽禁带-族半导体，其单晶在兰绿光发射器件、非线性光电器件和红外器件方面有着广泛的应用。
以往的宽带-族半导体都是以gaas为衬底材料的，这就造成了宽带-族半导体光电子材料与si基微电子技术的分离。
用族半导体造句挺难的，這是一个万能造句的方法
认为由于zno的存在消除了电荷不匹配以及减少热应力对在si衬底上生长宽带-族半导体材料带来的影响从而减少界面间的缺陷的产生。
Znse作为重要的宽禁带-族半导体，在兰绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。
氧化锌( zno )是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带ii - vi族半导体材料,由于其优良的特性,在太阳能电池、紫外探测器、声表面波器件、气敏传感器、透明电极等方面得到了广泛的应用。
氧化锌( zno )是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带-族半导体材料，由于其优良的物理特性， zno薄膜在太阳能电池、紫外探测器、发光显示器件、声表面波器件、气敏传感器等方面得到了广泛的应用。
通过实验我们找到了在这些结构参数上生产gainp algainpmqw的较理想的结果； ( 3 )首次用喇曼( raman )散射方法研究了常温下的gainp algainp多量子阱结构，除了指认出喇曼光谱中各光学声子模外，还结合样品光致发光谱的测量结果，分析发现喇曼光谱中alp - lo to的相对强度比可以在一定程度上评定晶体gainp algainpmqw的生长质量； ( 4 )在修正的随机元素等位移? mrei模型的基础上建立了一个新模型，计算了ab _ ( 1 - x ) c _ x型?族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。
特别是-族半导体低维结构由于较大的激子束缚能和强的室温激子效应，使它有希望成为制备室温激子非线性器件和蓝绿光器件的理想候选材料之一，为此-族半导体量子阱和非对称双量子阱的激子效应已被很深入地研究。
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如果利用外延技术，在硅衬底上外延生长直接带隙的宽带?族半导体材料，就可以把硅在微电子集成技术中的优势与宽带?族材料在光电特性方面的优势结合起来，使器件兼有高性能和低成本的优点。
宽带-族半导体材料，尤其是znse和znte及其合金具有宽带隙、直接带跃迁、激子束缚能大等优点而作为蓝和蓝绿发光、激光以及在该波段响应的光学双稳和光学非线性的重要候选材料。